W9825G6KH-6i Chips DRAM SDRAM 256Mbit IC

• forma: hqfp64
• Tipo de conductor: Bipolar Circuito Integrado
• Integración: MSI
• Técnica: Semiconductor IC
• mfg.: winbond
• d/c: 22+
• No. de Modelo.: W9825G6KH-6I
• paquete: tsopii-54
• calidad: original nuevo
• Paquete de Transporte: Caja
• Origen: China
• Código del HS: 8542399000
• Capacidad de Producción: 1000000PCS

Descripción de Producto

Descripción

W9825G6KH-6I:  IC Memoria SDRAM de 256 Mbit paralelo a 166 MHz 5 ns 54-TSOP II

Mfr. Nº de Referencia: W9825G6KH-6I

Mfr.: Winbond

Hoja de datos:  (E-mail o chat con nosotros en archivo PDF)

Estado de la ROHS:  

Calidad: 100% Original

Garantía: UN AÑO


 

El estado del producto	Activo
Tipo de memoria	Volátil
Formato de memoria	La DRAM
La tecnología	La SDRAM
El tamaño de memoria	256Mbit
Organización de la memoria	16m x 16
La interfaz de memoria	En paralelo
La frecuencia de reloj	166 MHz
El tiempo de ciclo de escritura - La Palabra, en la página	-
El tiempo de acceso	5 ns
La tensión de alimentación.	3V ~ 3,6 V.
La temperatura de funcionamiento	~ -40°C 85°C (TA)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Package / Caso	54-TSOP (0,400", de 10,16 mm de ancho).
El paquete del dispositivo de proveedor	54-TSOP II
El número de producto de la base	W9825G6

 

W9825G6KH es una alta velocidad de acceso aleatorio dinámico sincrónico (SDRAM), organizado en palabras de 4m x 4 bancos x 16 bits. W9825G6KH ofrece un ancho de banda de datos de hasta 200m de palabras por segundo. Para cumplir plenamente con el ordenador personal industrial standard, W9825G6KH se clasifica en la velocidad de los siguientes grados: -5, -5, -6, -6 I I, -6J, -6L, -75, 75J y 75L. El -5/-5 grado I las piezas son compatibles con los 200MHz/CL3 Especificación (el -5I que está garantizado de grado industrial para apoyar a -40°C ≤ TA ≤ 85°C). El -6/-6 I/-6j/-6l grado las piezas son compatibles con los 166MHz/CL3 Especificación (el -6 grado industrial I que está garantizada para apoyar a -40°C ≤ TA ≤ 85°C, la -6J grado industrial plus está garantizado para apoyar a -40°C ≤ TA ≤ 105°C). La -75/75J/75L grado las piezas son compatibles con los 133MHz/CL3 Especificación (el 75J de grado industrial, además de que está garantizada para apoyar a -40°C ≤ TA ≤ 105°C). La -6L y 75L grado de actualización automática de recambios IDD actual6 máx. 1,5 mA. Los accesos a la SDRAM están orientados en ráfaga. Ubicación de memoria consecutivos en una página se puede acceder a una longitud de la ráfaga de 1, 2, 4, 8 página completa o cuando un banco y la fila es seleccionado por un comando. Las direcciones de la columna se generan automáticamente por el contador interno de SDRAM en funcionamiento de la ráfaga. La columna al azar leer es también posible mediante su dirección en cada ciclo de reloj. El banco múltiple naturaleza permite intercalar entre bancos internos para ocultar la precarga de tiempo. Por tener un registro de modo programable, el sistema puede cambiar la longitud de ráfaga, el ciclo de latencia, intercala o ráfaga secuencial para maximizar su rendimiento. W9825G6KH es ideal para la memoria principal en aplicaciones de alto rendimiento.

 

 

¿Por qué escogernos

• Situado en Shenzhen, el mercado electrónico centro de China.
• 100% de garantía de calidad: los componentes originales.
• Suficientes existencias en la necesidad urgente.
• Sofisticado colegas le ayudarán a resolver los problemas para reducir el riesgo con la fabricación bajo demanda
• Envío rápido: en stock los componentes pueden enviar el mismo día .
• Servicio 24 horas  

 

Aviso:

1. Imágenes de los productos son sólo para referencia.
2. Puede contactar con vendedor para solicitar un mejor precio.
3.  Para más productos, por favor no dude en ponerse en contacto con nuestro equipo de ventas.