MOSFET de la señal de 2N7002LT1G

• shape: SMD
• Conductive Type: Bipolar Integrated Circuit
• Integration: MSI
• Technics: Semiconductor IC
• mfg.: en semiseco
• d/c: 17+
• No. de Modelo.: 2N7002LT1G
• paquete: sot-23
• calidad: original nuevo
• Paquete de Transporte: Box
• Origen: China
• Código del HS: 8542390000
• Capacidad de Producción: 1000000PCS

Descripción de Producto

Descripción

2N7002LT1G:  N-Canal 60 V 7.5 Ohmios montaje en superficie de 225 mW de pequeña señal - SOT-23-3 MOSFET

El paquete: SOT-23.

Mfr. Nº de referencia: 2N7002LT1G

: ONSEMI Mfr.

Hoja de datos:  (E-mail o chat nosotros en archivo PDF)

RoHS estado:  

Calidad: 100% Original

Garantía: 180 días

 

Estos de canal N con el modo de mejora de los transistores de efecto de campo se fabrican utilizando , alta densidad celular, la tecnología de la OCD. Estos productos han sido diseñados para minimizar al estado de resistencia mientras proporcionan resistente, fiable y rápido cambio de rendimiento. Pueden ser utilizados en la mayoría de las aplicaciones que requieren hasta 400 mA dc y puede proporcionar impulsos de corrientes de hasta 2A. Estos productos son especialmente adecuados para baja tensión, bajo las actuales aplicaciones tales como pequeñas servomotor control, los controladores de puerta de MOSFET de potencia, y otras aplicaciones de conmutación.

Características clave

• AEC-Q101 y PPAP cualificado capaz
• Pb libres dispositivos están disponibles

 

 

¿Por qué escogernos

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