Transistores MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P NCE01P18K

• Tipo conductor: Circuito Integrado Bipolar
• Integración: MSI
• Temperatura de funcionamiento: -40℃ - 85℃
• Forma: Plano
• Técnicas: Circuito integrado de semiconductores
• mfg.: nce
• No. de Modelo.: NCE01P18K
• d/c: 22+
• paquete: to-252
• calidad: original nuevo
• estado del producto: activo
• Paquete de Transporte: Caja
• Especificación: electronic components
• Origen: China
• Código del HS: 8542399000
• Capacidad de Producción: 1000000PCS

Descripción de Producto

descripción

NCE01P18K  :   MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P NCE

MFR. N.o de pieza: NCE01P18K

Hoja de datos:  (Enviar por correo electrónico o charlar para el archivo PDF)

Estado DE ROHS:  

Calidad: 100% original

Garantía: UN AÑO
 

  

 

 

Tensión de la fuente de drenaje (Vdss)	100V
Corriente de drenaje continua (ID)	18A
Resistencia de la fuente de drenaje activada (RDS(on)@VGS,ID)	100MΩ@10V,16A
Disipación de potencia (PD)	70W
Tensión de umbral de puerta (VGS(th)@ID)	3V@250uA
Tipo	1PCSPChannel

El NCE01P18K utiliza tecnología de trincheras y diseño avanzados para proporcionar un excelente RDS(ON) con carga de compuerta baja. Puede usarse en una amplia variedad de aplicaciones. Es protestada por ESD.


Aplicación
Administración de energía en un ordenador portátil
Equipos portátiles y sistemas alimentados por batería


 

 

 

 

Certificados







Detalles de embalaje del producto

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