TRANSISTOR MOSFET DE CANAL P 20V 3,7A IRLML6402TRPBF

• forma: hqfp64
• Tipo de conductor: Bipolar Circuito Integrado
• Integración: MSI
• Técnica: Semiconductor IC
• mfg.: infineon
• d/c: 22+
• No. de Modelo.: IRLML6402TRPBF
• paquete: sot23
• calidad: original nuevo
• Paquete de Transporte: Box
• Origen: China
• Código del HS: 8542399000
• Capacidad de Producción: 1000000PCS

Descripción de Producto

Descripción

IRLML6402TRPBF : MOSFET P-CH 20V 3,7A SOT23

MFR. Nº de pieza: IRLML6402TRPBF

MFR.: INFINEON

Hoja de datos:  (Enviar por correo electrónico o charlar para el archivo PDF)

Estado DE ROHS:  

Calidad: 100% original

Garantía: UN AÑO
 

 

Estado del producto	Activo
Tipo de FET	Canal P.
Tecnología	MOSFET (óxido metálico)
Tensión de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - continuo drenaje (ID) a 25°C.	3,7A (ta)
Tensión de la unidad (RDS máx. Activado, RDS mín. Activado)	2,5V, 4,5V
RDS activado (máx.) @ ID, VGS	65mOhm @ 3,7A, 4,5V
VGS(TH) (Máx.) @ ID	1,2V a 250µA
Carga de compuerta (QG) (máx.) a VGS	12 NC a 5 V.
VGS (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (CISS) (máx.) a VDS	633 pF a 10 V.
Función FET	-
Disipación de potencia (máx.)	1,3W (ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje superficial
Paquete de dispositivo de proveedor	Micro3™/SOT-23
Paquete / caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	IRLML6402

Estos MOSFET de canal P de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia a la on extremadamente baja por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la rápida velocidad de conmutación y el diseño de dispositivos robustos por los que son bien conocidos los MOSFET de potencia HEXFET®, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en la administración de baterías y carga. Se ha incorporado un bastidor de electrodos grande mejorado térmicamente en el encapsulado SOT-23 estándar para producir un MOSFET de potencia HEXFET con el tamaño más pequeño del sector. Este paquete, denominado Micro3™, es ideal para aplicaciones en las que el espacio de la placa de circuito impreso es muy importante. El perfil bajo (<1,1mm) del Micro3 permite que se adapte fácilmente a entornos de aplicaciones extremadamente delgados como electrónica portátil y tarjetas PCMCIA. La resistencia térmica y la disipación de potencia son las mejores disponibles

 

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