IRLML5203TRPBF MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23

• shape: hqfp64
• Conductive Type: Bipolar Integrated Circuit
• Integration: MSI
• Technics: Semiconductor IC
• mfg.: infineon
• d/c: 22+
• No. de Modelo.: IRLML5203TRPBF
• paquete: sot-23
• calidad: original nuevo
• Paquete de Transporte: Box
• Origen: China
• Código del HS: 8542399000
• Capacidad de Producción: 1000000PCS

Descripción de Producto

Descripción

IRLML5203TRPBF:  Canal P 30 V 3A (ta) 1,25W (ta) montaje superficial Micro3™/SOT-23

MFR. Nº de pieza: IRLML5203TRPBF

MFR.: INFINEON

Hoja de datos:  (Enviar por correo electrónico o charlar para el archivo PDF)

Estado DE ROHS:  

Calidad: 100% original

Garantía: UN AÑO
 

Estado del producto	Activo
Tipo de FET	Canal P.
Tecnología	MOSFET (óxido metálico)
Tensión de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - continuo drenaje (ID) a 25°C.	3A (ta)
Tensión de la unidad (RDS máx. Activado, RDS mín. Activado)	4,5V, 10V
RDS activado (máx.) @ ID, VGS	98mOhm @ 3A, 10V
VGS(TH) (Máx.) @ ID	2,5V a 250µA
Carga de compuerta (QG) (máx.) a VGS	14 NC a 10 V.
VGS (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (CISS) (máx.) a VDS	510 pF a 25 V.
Función FET	-
Disipación de potencia (máx.)	1,25W (ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje superficial
Paquete de dispositivo de proveedor	Micro3™/SOT-23
Paquete / caja	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	IRLML5203

Estos MOSFET de canal P de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr la resistencia a la on extremadamente baja por área de silicio. Esta ventaja proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente para su uso en aplicaciones de administración de carga y batería. Se ha incorporado un bastidor de electrodos grande mejorado térmicamente en el encapsulado SOT-23 estándar para producir un MOSFET de potencia HEXFET con el tamaño más pequeño del sector. Este paquete, denominado Micro3TM, es ideal para aplicaciones en las que el espacio de la placa de circuito impreso es muy importante. El perfil bajo (<1,1mm) del Micro3 permite que se adapte fácilmente a entornos de aplicaciones extremadamente delgados como electrónica portátil y tarjetas PCMCIA. La resistencia térmica y la disipación de potencia son las mejores disponibles.

 

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