DescripcióN
IRF640NPBF : MOSFET Trans N-CH Si 200V 18A 3 patas(3+Tab)-220Tubo AB
El paquete:BGA
Mfr.La parte#:IRF640NPBF
Mfr.: INFINEON
Hoja de datos:Pdf
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Estado:RoHS RoHS, PB FREE
Calidad:100% Original
GarantíA:180 díAs
| El Estado parte |
Activo |
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| Tipo FET |
Canal N |
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| La tecnologíA |
(MOSFET de óXido metáLico) |
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| Vaciar a la fuente de tensióN (Vdss) |
200V |
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| Actual - Drenaje continuo (Id) de @ a 25°C |
18A (Tc) |
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| La tensióN de la unidad (Max RDS ACTIVADO, Min RDS). |
10V |
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| Rds activado (máX.) @ Id, Vgs |
150mOhm @ 11A, 10V |
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| Vgs(a) (máX.) @ Id. |
4V de 250 µA @ |
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| La compuerta de carga (QG) (máX.) @ Vgs |
67nC @ 10V |
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| Vgs (máX.). |
±20 V |
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| La capacitancia de entrada (CISS) (máX.) @ Vds. |
1160pF @ 25V |
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| La caracteríStica de FET |
- |
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| DisipacióN de potencia (máX.). |
150W (Tc) |
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| La temperatura de funcionamiento |
~ -55°C a 175°C (TJ) |
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| Tipo de montaje |
A travéS del agujero |
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| El paquete del dispositivo de proveedor |
A-220AB |
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| Package / Caso |
A-220-3 |
MOSFETs de potencia HEXFET de quinta generacióN de International Rectifier utilizar téCnicas avanzadas de procesamiento para lograr la extremadamente baja de resistencia por la zona de silicio.Este beneficio, junto con la velocidad de conmutacióN ráPida y resistente diseñO del dispositivo que MOSFETs de potencia HEXFET son bien conocidas, proporciona el diseñAdor con una muy eficiente y confiable para el uso de dispositivos en una amplia variedad de aplicaciones.El PAQUETE TO-220 es universalmente el preferido para todas las aplicaciones industriales comerciales en los niveles de la disipacióN de energíA a unos 50 vatios.La baja resistencia téRmica y paquete de bajo costo de la A-220 de contribuir a su amplia aceptacióN en toda la industria.La D2Pak es un paquete de energíA de montaje en superficie capaz de albergar morir tamañOs de hasta HEX-4.Proporciona la máXima capacidad de energíA y el máS bajo posible sobre la resistencia en cualquier paquete de montaje en superficie existente.La D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente debido a su baja resistencia a la conexióN interna y puede disipar hasta 2,0 W en una tíPica aplicacióN de montaje en superficie.
CaracteríSticas clave
- La tecnologíA de proceso avanzado
- ClasificacióN de dv/dt dináMico
- A 175°C la temperatura de funcionamiento
- El cambio ráPido
- Nominal de avalancha plenamente
- Facilidad de paralelo
- Requisitos de la unidad simple
- Sin plomo
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