forma: | hqfp64 |
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Tipo de conductor: | Bipolar Circuito Integrado |
Integración: | MSI |
Técnica: | Semiconductor IC |
mfg.: | infineon |
d/c: | 22+ |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
IRF3710PBF: Canal N 100 V 57A (TC) 200W (TC) a través del agujero TO-220AB
MFR. Nº de pieza: IRF3710PBF
MFR.: INFINEON
Hoja de datos: (Enviar por correo electrónico o charlar para el archivo PDF)
Estado DE ROHS:
Calidad: 100% original
Garantía: UN AÑO
Estado del producto
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Activo
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Tipo de FET
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Canal N.
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Tecnología
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MOSFET (óxido metálico)
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Tensión de drenaje a fuente (Vdss)
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100 V
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Corriente - continuo drenaje (ID) a 25°C.
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57A (TC)
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Tensión de la unidad (RDS máx. Activado, RDS mín. Activado)
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10V
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RDS activado (máx.) @ ID, VGS
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23mOhm @ 28A, 10V
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VGS(TH) (Máx.) @ ID
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4V a 250µA
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Carga de compuerta (QG) (máx.) a VGS
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130 NC a 10 V.
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VGS (máx.)
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±20V
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Capacitancia de entrada (CISS) (máx.) a VDS
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3130 pF a 25 V.
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Función FET
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-
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Disipación de potencia (máx.)
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200W (TC)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Tipo de montaje
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Orificio pasante
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Paquete de dispositivo de proveedor
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TO-220AB
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Paquete / caja
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TO-220-3
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Número de producto base
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IRF3710
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Los MOSFET de potencia HEXFET® avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia a la conexión extremadamente baja por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos robustos por los que son bien conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. El encapsulado TO-220 es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales-industriales con niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo coste del envase del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria.
Aviso: