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MOSFET DE TRANSISTOR SI 100V 57A DE IRF3710PBF CANALES N

forma: hqfp64
Tipo de conductor: Bipolar Circuito Integrado
Integración: MSI
Técnica: Semiconductor IC
mfg.: infineon
d/c: 22+

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Miembro Diamante Desde 2018

Proveedores con licencias comerciales verificadas

Empresa Comercial

Información Básica.

No. de Modelo.
IRF3710PBF
paquete
to-220
calidad
original nuevo
Paquete de Transporte
Caja
Origen
China
Código del HS
8542399000
Capacidad de Producción
1000000PCS

Descripción de Producto

Descripción

IRF3710PBF:  Canal N 100 V 57A (TC) 200W (TC) a través del agujero TO-220AB

MFR. Nº de pieza: IRF3710PBF

MFR.: INFINEON

Hoja de datos:  IRF3710PBF N-CHANNEL Si 100V 57A TRANSISTOR MOSFET(Enviar por correo electrónico o charlar para el archivo PDF)

Estado DE ROHS:  IRF3710PBF N-CHANNEL Si 100V 57A TRANSISTOR MOSFET

Calidad: 100% original

Garantía: UN AÑO

Estado del producto
Activo
 
Tipo de FET
Canal N.
 
Tecnología
MOSFET (óxido metálico)
 
Tensión de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
 
Corriente - continuo drenaje (ID) a 25°C.
57A (TC)
 
Tensión de la unidad (RDS máx. Activado, RDS mín. Activado)
10V
 
RDS activado (máx.) @ ID, VGS
23mOhm @ 28A, 10V
 
VGS(TH) (Máx.) @ ID
4V a 250µA
 
Carga de compuerta (QG) (máx.) a VGS
130 NC a 10 V.
 
VGS (máx.)
±20V
 
Capacitancia de entrada (CISS) (máx.) a VDS
3130 pF a 25 V.
 
Función FET
-
 
Disipación de potencia (máx.)
200W (TC)
 
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
 
Tipo de montaje
Orificio pasante
 
Paquete de dispositivo de proveedor
TO-220AB
 
Paquete / caja
TO-220-3
 
Número de producto base
IRF3710

 

Los MOSFET de potencia HEXFET® avanzados de International Rectifier utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia a la conexión extremadamente baja por área de silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivos robustos por los que son bien conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones. El encapsulado TO-220 es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales-industriales con niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50 vatios. La baja resistencia térmica y el bajo coste del envase del TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria.












IRF3710PBF N-CHANNEL Si 100V 57A TRANSISTOR MOSFET


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