• IC SDRAM 256Mbit W9825G6KH-6
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IC SDRAM 256Mbit W9825G6KH-6

forma: smd
Tipo de conductor: Unipolar Circuito Integrado
Integración: MSI
Técnica: Thin Film IC
mfg.: winbond
d/c: 17+

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Empresa Comercial

Información Básica.

No. de Modelo.
W9825G6KH-6
paquete
tsop(ii)-54
calidad
original nuevo
Paquete de Transporte
Caja
Origen
China
Código del HS
8542390000
Capacidad de Producción
1000000PCS

Descripción de Producto

DescripcióN

W9825G6KH-6:Los Chips DRAM SDRAM 256M bits 16Mx16 3,3 54 Pines TSOP-II.

El paquete:TSOP II)-54

Mfr.NºDe Referencia:W9825G6KH-6

Mfr.:Winbond

Hoja de datos: 
IC DRAM SDRAM 256MBIT W9825G6KH-6
(E-mail o chat con nosotros en archivo PDF)

RoHS estado: 
IC DRAM SDRAM 256MBIT W9825G6KH-6

Calidad:100% Original

GarantíA:180 díAs
 

El W9825G6KH es una alta velocidad de acceso aleatorio dináMico sincróNico (SDRAM), organizado en palabras de 4m x 4 bancos x 16 bits.W9825G6KH ofrece un ancho de banda de datos de hasta 200m de palabras por segundo.Para cumplir plenamente con el ordenador personal industrial standard, W9825G6KH se clasifica en la velocidad de los siguientes grados:-5, -5, -6, -6 I I, -6L -75 y 75L.El -5/-5 grado I las piezas son compatibles con los 200 MHz/CL3 EspecificacióN (el -5I que estáGarantizado de grado industrial para apoyar a 40°C ≤TA ≤85°C).El -6/-6/-6 grado I L piezas son conformes a los 166MHz/CL3 EspecificacióN (el -6 grado industrial I que estáGarantizada para apoyar a - 40°C ≤TA ≤85°C).La -75/75L son compatibles con los 133MHz/CL3 EspecificacióN.La -6L y 75L de recambios auto refresh IDD actual6 Max.1,5 mA.

Los accesos a la SDRAM estáN orientados en ráFaga.UbicacióN de memoria consecutivas es una páGina se puede acceder a una longitud de la ráFaga de 1, 2, 4, 8 páGina completa o cuando un banco y la fila es seleccionado por un comando.Las direcciones de la columna se generan automáTicamente por el contador interno de SDRAM en funcionamiento de la ráFaga.La columna al azar leer es tambiéN posible mediante su direccióN en cada ciclo de reloj.El banco múLtiple naturaleza permite intercalar entre bancos internos para ocultar la pre-tiempo de carga.

 

CaracteríSticas clave

  • 3,3 ±0,3 V Fuente de alimentacióN
  • Hasta 200 MHz de frecuencia de reloj
  • 4,194,304 palabras x 4 x 16 bits de organizacióN de los bancos
  • Modo de actualizacióN automáTica:EstáNdar y de baja potencia
  • Latencia CAS:2 y 3
  • Burst DuracióN:1, 2, 4, 8 y toda la páGina
  • Burst Read, solo en modo escritura
  • Datos Byte controlada por LDQM, UDQM
  • El modo de apagado
  • Auto-controlado y precarga de precargar
  • Los ciclos de actualizacióN de 8K/64 mS
  • La interfaz:LVTTL
  • Envasados en TSOP II 54 pines, 400 mil - 0.80, utilizando materiales de plomo con RoHS compatible

La líNea de productos de la empresa



IC DRAM SDRAM 256MBIT W9825G6KH-6








 


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