IC CD4011BE NAND Gate 2 elementos 4-IN CMOS

• forma: smd
• Tipo de conductor: Unipolar Circuito Integrado
• Integración: LSI
• Técnica: Película gruesa IC
• mfg.: ti
• d/c: 17+
• No. de Modelo.: CD4011BE
• paquete: dip-14
• calidad: original nuevo
• Paquete de Transporte: Caja
• Origen: China
• Código del HS: 8542390000
• Capacidad de Producción: 1000000PCS

Descripción de Producto

Descripción

CD4011BE: Puerta NAND 4-element 2-IN CMOS 14-pin PDIP tubo

Paquete: DIP-14

MFR. Nº de pieza: CD4011BE

MFR.:TI

Hoja de datos:  (Envíe un correo electrónico o chatee con nosotros para obtener un archivo PDF)

Estado DE ROHS:  

Calidad: 100% original

Garantía: 180 días
 

Estado del producto	Activo
Tipo lógico	Puerta NAND
Número de circuitos	4
Número de entradas	2
Características	-
Voltaje - Alimentación	3V ~ 18V
Corriente - quiescente (máx.)	1 µA
Corriente - salida alta, baja	3,4mA, 3,4mA
Nivel lógico de entrada: Bajo	1,5V ~ 4V
Nivel lógico de entrada: Alto	3,5V ~ 11V
Retardo máx. De propagación a V, CL máx	90ns @ 15V, 50pF
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 125°C.
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete de dispositivo del proveedor	14-PDIP
Paquete / caja	14-DIP (0,300", 7,62mm)
Número de producto base	CD4011

Las puertas NAND CD4011B, CD4012B y CD4023B proporcionan al diseñador de sistemas la implementación directa de la función NAND y complementan la familia existente de puertas CMOS. Todas las entradas y salidas están en búfer.

Los tipos CD4011B, CD4012B y CD4023B se suministran en encapsulados cerámicos herméticos dobles en línea de 14 derivaciones (sufijo F3A), encapsulados de plástico dobles en línea de 14 derivaciones (sufijo E), encapsulados de contorno pequeño de 14 derivaciones (sufijos M, MT, M96 y NSR) y encapsulados de contorno pequeño de contracción fina de 14 derivaciones (sufijo PWR). Los tipos CD4011B y CD4023B también se suministran encapsulados de contorno pequeño de in14 derivaciones de tamaño reducido (sufijo PW).

 

Características clave

• Tiempo de retardo de propagación = 60 ns (típ.) en CL = 50 pF, VDD = 10 V.
• Entradas y salidas en búfer
• Características de salida simétrica estandarizada
• Corriente de entrada máxima de 1 µA a 18 V, rango de temperatura del paquete completo; 100 na a 18 V y 25 °C.
• 100% probado para corriente quiescente a 20 V.
• Valores nominales paramétricos de 5 V, 10 V y 15 V.
• Margen de ruido (sobre el rango de temperatura del paquete completo:
      1 V A VDD = 5 V.
      2 V A VDD = 10 V.
      2,5 a VDD = 15 V.
• Cumple todos los requisitos de la Norma Provisional JEDEC no 13B, "Especificaciones estándar para la Descripción de dispositivos CMOS de la serie "B""

Línea de productos de la compañía

 

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