FM24CL64B-GTR FRAM 64Kbit IC de interfaz serie 2Wire

• Conductive Type: Bipolar Integrated Circuit
• Integration: MSI
• Technics: Semiconductor IC
• mfg.: ciprés
• d/c: 22+
• paquete: soic8
• No. de Modelo.: FM24CL64B-GTR
• calidad: original nuevo
• forma: plana
• Paquete de Transporte: Box
• Origen: China
• Código del HS: 8542399000
• Capacidad de Producción: 1000000PCS

Descripción de Producto

Descripción

FM24CL64B-GTR :  FRAM (RAM Ferroeléctrica) memoria IC 64Kbit I²C 1 MHz 550 ns 8-SOIC

MFR. Nº de pieza: FM24CL64B-GTR

MFR.: OMRON

Hoja de datos:  (Enviar por correo electrónico o charlar para el archivo PDF)

Estado DE ROHS:  

Calidad: 100% original

Garantía: UN AÑO
 

Estado del producto	Activo
Tipo de memoria	No volátil
Formato de memoria	MARCO
Tecnología	FRAM (RAM Ferroeléctrica)
Tamaño de memoria	64Kbit
Organización de la memoria	8K x 8
Interfaz de memoria	I²C
Frecuencia de reloj	1 MHz
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página	-
Tiempo de acceso	550 ns
Tensión - Alimentación	2,7V ~ 3,65V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje	Montaje superficial
Paquete / caja	8-SOIC (0,154", 3,90mm ancho)
Paquete de dispositivo de proveedor	8-SOIC
Número de producto base	FM24CL64

El FM24CL64B es una memoria no volátil de 64 Kbit que emplea un avanzado proceso ferroeléctrico. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o F-RAM no es volátil y realiza lecturas y escrituras similares a una RAM. Proporciona una retención de datos fiable durante 151 años, al tiempo que elimina las complejidades, la sobrecarga y los problemas de fiabilidad a nivel de sistema causados por la memoria EEPROM y otras memorias no volátiles. A diferencia de la EEPROM, el FM24CL64B realiza operaciones de escritura a velocidad de bus. No se producen retrasos en la escritura. Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiera correctamente al dispositivo. El siguiente ciclo de bus puede comenzar sin necesidad de sondeo de datos. Además, el producto ofrece una resistencia de escritura considerable en comparación con otros recuerdos no volátiles. Además, F-RAM exhibe mucha menor potencia durante las escrituras que EEPROM, ya que las operaciones de escritura no requieren una tensión de alimentación interna elevada para circuitos de escritura. El FM24CL64B es capaz de soportar 1014 ciclos de lectura/escritura, o 100 millones de veces más ciclos de escritura que la EEPROM. Estas capacidades hacen que el FM24CL64B sea ideal para aplicaciones de memoria no volátil, que requieren escrituras frecuentes o rápidas. Los ejemplos van desde el registro de datos, donde el número de ciclos de escritura puede ser crítico, hasta los exigentes controles industriales donde el tiempo de escritura largo de la EEPROM puede causar la pérdida de datos. La combinación de funciones permite escribir datos con más frecuencia y con menos sobrecarga para el sistema. El FM24CL64B proporciona importantes beneficios a los usuarios de EEPROM serie (I2C) como sustitución de hardware. Las especificaciones del dispositivo están garantizadas en un rango de temperatura industrial de -40 ºC a +85 ºC.

 

 

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