FDS4435BZ MOSFET de canal P de 30V 20mΩ para montaje superficial PowerTrench

• forma: hqfp64
• Tipo de conductor: Bipolar Circuito Integrado
• Integración: MSI
• Técnica: Semiconductor IC
• mfg.: en semiseco
• d/c: 22+
• No. de Modelo.: FDS4435BZ
• paquete: sop8
• calidad: original nuevo
• Paquete de Transporte: Caja
• Origen: China
• Código del HS: 8542390000
• Capacidad de Producción: 1000000PCS

Descripción de Producto

Descripción

FDS4435BZ:   Canal P 30 V 8,8A (ta) 2,5W (ta) montaje superficial 8-SOIC

MFR. Nº de pieza: FDS4435BZ

MFR.: ONSEMI

Hoja de datos:  (Enviar por correo electrónico o charlar para el archivo PDF)

Estado DE ROHS:  

Calidad: 100% original

Garantía: UN AÑO

 

Estado del producto	Activo
Tipo de FET	Canal P.
Tecnología	MOSFET (óxido metálico)
Tensión de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - continuo drenaje (ID) a 25°C.	8,8A (ta)
Tensión de la unidad (RDS máx. Activado, RDS mín. Activado)	4,5V, 10V
RDS activado (máx.) @ ID, VGS	20mOhm @ 8,8A, 10V
VGS(TH) (Máx.) @ ID	3V a 250µA
Carga de compuerta (QG) (máx.) a VGS	40 NC a 10 V.
VGS (máx.)	±25V
Capacitancia de entrada (CISS) (máx.) a VDS	1845 pF a 15 V.
Función FET	-
Disipación de potencia (máx.)	2,5W (ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje superficial
Paquete de dispositivo de proveedor	8-SOIC
Paquete / caja	8-SOIC (0,154", 3,90mm ancho)
Número de producto base	FDS4435

Este MOSFET de canal P−se produce utilizando el avanzado proceso POWERTECH DE ON Semiconductor, que se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia de estado on−. Este dispositivo es adecuado para aplicaciones de gestión de energía y conmutación de carga comunes en ordenadores portátiles y baterías portátiles.

 

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