DMC2038LVT-7 Complem MOSFET de mejora de la pareja

• forma: SMD
• Tipo de conductor: Unipolar Circuito Integrado
• Integración: MSI
• Técnica: Semiconductor IC
• Application: Standard Generalized Integrated Circuit
• Type: Digital / Analog IC
• No. de Modelo.: DMC2038LVT-7
• mfg.: diodos
• d/c: 17+
• paquete: TSOT-26
• calidad: original nuevo
• categoría: mosfet
• Paquete de Transporte: Box
• Origen: China
• Código del HS: 8542390000
• Capacidad de Producción: 1000000PCS

Descripción de Producto

Descripción

DMC2038LVT-7:   N/P DE MOSFET de Trans-CH 20V 4.5A/3.1A 6 Polos TSOT-26 T/R

El paquete: TSOT-26

Mfr. La parte#: DMC2038LVT-7

Diodos Mfr.
Hoja de datos:   (E-mail o chat nosotros en archivo PDF)

RoHS estado:  

Calidad: 100% Original

Garantía: 180 días

 

Este transistor ha sido diseñado para minimizar la resistencia del estado (RDS(on) y sin embargo, mantener el rendimiento de conmutación de categoría superior, haciéndolo ideal para aplicaciones de gestión de alimentación de alta eficacia.

Características clave

• Baja On-Resistance
• Entrada baja capacitancia
• La velocidad de conmutación rápida
• Fuga de Entrada/Salida de baja
• La velocidad de conmutación rápida
• Libre de Plomo RoHS totalmente y completamente compatible con
• Halógeno y exento de antimonio. Dispositivo de "verde"
• Calificado para AEC-Q101 estándares de alta fiabilidad

El Estado parte	Activo
Tipo FET	Canal N y P
La característica de FET	Puerta de nivel lógico.
Vaciar a la fuente de tensión (Vdss)	20V
- Drenaje de corriente continua (Id) de @ a 25°C	3.7A, 2.6A
Rds activado (máx. ) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 4A, de 4, 5 V.
Vgs(a) (máx. ) @ Id.	1V de 250 µA @
La compuerta de carga (QG) (máx. ) @ Vgs	17nC @ 10V
La capacitancia de entrada (CISS) (máx. ) @ Vds.	530pF @ 10V
Alimentación: Máx.	800mW
La temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Package / Caso	SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6
El paquete del dispositivo de proveedor	TSOT-26

 

 

¿Por qué escogernos

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