SDRAM DDR2 W971GG6SB25I IC de 1 GB de memoria DRAM WBGA paralelo de 84W971GG6SB25I-TR

• forma: SMD
• Tipo de conductor: Unipolar Circuito Integrado
• Integración: MSI
• Técnica: Thin Film IC
• Application: Standard Generalized Integrated Circuit
• Type: Digital / Analog IC
• No. de Modelo.: W971GG6SB25I
• mfg.: WINBOND
• d/c: 17+
• paquete: WBGA-84
• calidad: original nuevo
• Paquete de Transporte: Box
• Origen: China
• Código del HS: 8542390000
• Capacidad de Producción: 1000000PCS

Descripción de Producto

Descripción

W971GG6SB25I: 8M X 8 bancos x SDRAM DDR2 de 16 bits

El paquete: WBGA-84

Mfr. Nº de Referencia: W971GG6SB25I

Mfr.:Winbond

Hoja de datos:  (E-mail o chat nosotros en archivo PDF)

RoHS estado:  

Calidad: 100% Original

Garantía: 180 días

 

El estado del producto	Obsoleto
Tipo de memoria	Volátil
Formato de memoria	La DRAM
La tecnología	La SDRAM DDR2.
El tamaño de memoria	1 GB
Organización de la memoria	64m x 16
La interfaz de memoria	En paralelo
La frecuencia de reloj	A 200 MHz
El tiempo de ciclo de escritura - La Palabra, en la página	15ns
El tiempo de acceso	Ps 400
La tensión de alimentación.	1.7V ~ 1,9 V
La temperatura de funcionamiento	~ -40°C 95°C (TC)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Package / Caso	84-TFBGA
El paquete del dispositivo de proveedor	84-WBGA (8x12,5)
El número de producto de la base	W971GG6

 

1. Descripción general

El W971GG6SB es una de bits de 1G de SDRAM DDR2, organizado en 8,388,608 palabras 8 bancos 16 bits. Este

Dispositivo alcanza velocidades de transferencia de alta velocidad hasta 1066 Mb/s/pin (DDR2-1066) para diversas aplicaciones.

W971GG6SB se clasifica en las siguientes partes: la categoría de -18, 18i, -25, 25I y -3. Los -18 y 18 de grado I

Las piezas son compatibles con el DDR2-1066 (6-6-6) de la especificación (el 18I grado industrial

Garantizada para apoyar a -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C). Los -25 y 25 piezas de grado I son conformes a la

DDR2-800 (5-5-5) o DDR2-800 (6-6-6) de la especificación (el grado industrial 25I que está garantizado a

El apoyo de -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C). El -3 grado piezas es compatible con el DDR2-667 (5-5-5) de la especificación.

Todos los de la dirección y control de las entradas están sincronizados con un par de suministrado externamente el diferencial

Relojes de pared. Las entradas están trabados en el punto de cruz del diferencial de reloj (CLK el aumento de la caída y CLK). Todos los

I/Os están sincronizadas con un solo terminó DQS o diferencial DQS- DQS pareja en una fuente

Moda sincrónico.

2. Características

Alimentación: VDD, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V

La arquitectura de doble velocidad de datos: dos transferencias de datos por ciclo de reloj.

Latencia CAS: 3, 4, 5, 6 y 7

Burst Duración: 4 y 8

Bi-direccional, diferencial, luces estroboscópicas de datos (DQS y DQS ) son transmitidos y recibidos con los datos

Edge-alineada con la lectura de datos y centro-alineada con la escritura de datos

DLL alinea DQ y DQS transiciones con reloj

El diferencial entradas de reloj (CLK y CLK ).

Las máscaras de datos (DM) para escribir los datos

Los comandos introducidos en cada borde CLK positiva, datos y la máscara de datos hacen referencia a los dos bordes

De DQS

Publicado programables de latencia CAS aditivo compatibles para hacer el mando y la eficiencia del bus de datos

Leer más la latencia de aditivo = latencia CAS Latency (RL = AL + CL)

Off-Chip controladores de ajuste de impedancia (TOC) y terminación On-Die (ODT) para la mejor señal

La calidad

Auto-operación de precarga para leer y escribir ráfagas

La actualización automática y los modos de actualización automática

Precargan Apague y Active Power Down

Escriba la máscara de datos

La latencia de escritura = Latencia de lectura: 1 (WL = RL - 1)

La interfaz: SSTL_18

Envasados en WBGA 84 la bola (8x12.5 mm2 ), utilizando materiales de plomo con RoHS compatible

 

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