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Favoritos

CUS10S30,H3F Diodo rectificador señal pequeña Schottky Si 30V 1A

shape: Flat
Conductive Type: Bipolar Integrated Circuit
Integration: MSI
Technics: Semiconductor IC
mfg.: toshiba
d/c: 22+

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Empresa Comercial

Información Básica.

No. de Modelo.
CUS10S30,H3F
paquete
SOD323
calidad
original nuevo
Paquete de Transporte
Box
Origen
China
Código del HS
8542399000
Capacidad de Producción
1000000PCS

Descripción de Producto

Descripción

CUS10S30,H3F Diodo 30 V 1A montaje superficial USC

MFR. Nº de pieza: CUS10S30,H3F

MFR.: FTDI

Hoja de datos:  CUS10S30,H3F Rectifier Diode Small Signal Schottky Si 30V 1A(Enviar por correo electrónico o charlar para el archivo PDF)

Estado DE ROHS:  CUS10S30,H3F Rectifier Diode Small Signal Schottky Si 30V 1A

Calidad: 100% original

Garantía: UN AÑO


 

Estado del producto
Activo
 
Tecnología
Schottky
 
Tensión - DC inversa (VR) (máx.)
30 V
 
Corriente - Media rectificada (Io)
1A
 
Voltaje - avance (VF) (máx.) a si
230 mV a 100 mA
 
Velocidad
Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io)
 
Corriente - fuga inversa @ VR
500 µA a 30 V.
 
Capacitancia a VR, F
135pF @ 0V, 1MHz
 
Tipo de montaje
Montaje superficial
 
Paquete / caja
SC-76, SOD-323
 
Paquete de dispositivo de proveedor
USC
 
Temperatura de funcionamiento - empalme
125 °C (máx.)
 
Número de producto base
CUS10S30



Aplicaciones • Conmutación de alta velocidad
 

Consideraciones de uso • los diodos de barrera Schottky (SBD) tienen una fuga inversa mayor que otros tipos de diodos. Esto hace que las SBD sean más susceptibles a la escapes térmica en condiciones de alta temperatura y alta tensión. Por lo tanto, tanto las pérdidas de potencia de avance y retroceso de SBD deben ser consideradas para el diseño térmico y de seguridad



CUS10S30,H3F Rectifier Diode Small Signal Schottky Si 30V 1A


CUS10S30,H3F Rectifier Diode Small Signal Schottky Si 30V 1A


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