forma: | hqfp64 |
---|---|
Tipo de conductor: | Bipolar Circuito Integrado |
Integración: | MSI |
Técnica: | Semiconductor IC |
mfg.: | infineon |
d/c: | 22+ |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
BSS316NH6327: Canal N 30 V 1,4A (ta) 500mW (ta) montaje superficial PG-SOT23
MFR. N.o de pieza: BSS316NH6327
MFR.: INFINEON
Hoja de datos: (Enviar por correo electrónico o charlar para el archivo PDF)
Estado DE ROHS:
Calidad: 100% original
Garantía: UN AÑO
Estado del producto
|
Activo
|
|
Tipo de FET
|
Canal N.
|
|
Tecnología
|
MOSFET (óxido metálico)
|
|
Tensión de drenaje a fuente (Vdss)
|
30 V
|
|
Corriente - continuo drenaje (ID) a 25°C.
|
1,4a (ta)
|
|
Tensión de la unidad (RDS máx. Activado, RDS mín. Activado)
|
4,5V, 10V
|
|
RDS activado (máx.) @ ID, VGS
|
160mOhm @ 1,4A, 10V
|
|
VGS(TH) (Máx.) @ ID
|
2V a 3.7µA
|
|
Carga de compuerta (QG) (máx.) a VGS
|
0,6 NC a 5 V.
|
|
VGS (máx.)
|
±20V
|
|
Capacitancia de entrada (CISS) (máx.) a VDS
|
94 pF a 15 V.
|
|
Función FET
|
-
|
|
Disipación de potencia (máx.)
|
500MW (ta)
|
|
Temperatura de funcionamiento
|
-55°C ~ 150°C (TJ)
|
|
Tipo de montaje
|
Montaje superficial
|
|
Paquete de dispositivo de proveedor
|
PG-SOT23
|
|
Paquete / caja
|
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
|
|
Número de producto base
|
BSS316
|
Características • Canal N • modo de mejora • nivel lógico (4,5V) • Avalanche nominal • calificado según AEC Q101 • 100% sin plomo; compatible con RoHS • libre de halógenos según IEC61249-2-21
Aviso: