BSC014N04LS MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON

• forma: hqfp64
• Tipo de conductor: Bipolar Circuito Integrado
• Integración: MSI
• Técnica: Semiconductor IC
• mfg.: infineon
• d/c: 22+
• No. de Modelo.: BSC014N04LS
• paquete: tdson-8
• calidad: original nuevo
• Paquete de Transporte: Caja
• Origen: China
• Código del HS: 8542399000
• Capacidad de Producción: 1000000PCS

Descripción de Producto

Descripción

BSC014N04LS:  Canal N 40 V 31A (ta), 100A (TC) 2,5W (ta), 96W (TC) montaje superficial PG-TDSON-8 FL

MFR. N.o de pieza: BSC014N04LS

MFR.: INFINEON

Hoja de datos:  (Enviar por correo electrónico o charlar para el archivo PDF)

Estado DE ROHS:  

Calidad: 100% original

Garantía: UN AÑO

 

Estado del producto	Activo
Tipo de FET	Canal N.
Tecnología	MOSFET (óxido metálico)
Tensión de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - continuo drenaje (ID) a 25°C.	31A (ta), 100A (TC)
Tensión de la unidad (RDS máx. Activado, RDS mín. Activado)	4,5V, 10V
RDS activado (máx.) @ ID, VGS	1,45mOhm @ 50A, 10V
VGS(TH) (Máx.) @ ID	2V a 250µA
Carga de compuerta (QG) (máx.) a VGS	55 NC a 10 V.
VGS (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (CISS) (máx.) a VDS	4000 pF a 20 V.
Función FET	-
Disipación de potencia (máx.)	2,5W (ta), 96W (TC)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje superficial
Paquete de dispositivo de proveedor	PG-TDSON-8 FL
Paquete / caja	8-PowerTDFN
Número de producto base	BSC014

 

Características •Optimizadoforsincronosrectificación •IntegratedmonolithicSchottky-likediode •Verylowon-resistanceRDS(on) •100%avalancha •N-Channel,nivel logical•QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetaplicaciones •Pb-freeleadplating;roHScompliant Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 •Highersolderjoinablesampliamientointerconexión

 

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