DDR3L-U DRAM Chip 8Gbit 512M SDRAM 16 1,35V x B5116ECMDXGJD FBGA IC de 96 pines

• forma: hqfp64
• Tipo de conductor: Bipolar Circuito Integrado
• Integración: MSI
• Técnica: Semiconductor IC
• mfg.: kingston
• d/c: 22
• No. de Modelo.: B5116ECMDXGJD-U
• paquete: fbga
• calidad: original nuevo
• Paquete de Transporte: Caja
• Origen: China
• Código del HS: 8542390000
• Capacidad de Producción: 1000000PCS

Descripción de Producto

Descripción

B5116ECMDXGJD-U  :  8G bits DDR3L SDRAM 512 M palabras x 16 bits) FBGA 96-bola

MFR. Nº de pieza: B5116ECMDXGJD-U.

MFR.: KINGSTON

Hoja de datos:  (Enviar por correo electrónico o charlar para el archivo PDF)

Estado DE RoHS:  

Calidad: 100% original

Garantía: UN AÑO
 

	Descripción	Valor
	Ancho de bus de dirección	16 bits
	Ancho del bus de datos	16 bits
	Densidad	8 Gbit
	Velocidad máxima de reloj	933 MHz
	Corriente de funcionamiento máxima	125 mA
	Tiempo máximo de acceso aleatorio	20 ns
	Número de bancos	8
	Número de bits por canal	16 bits
	Número de líneas de E/S.	16 bits
	Tensión de alimentación de funcionamiento	2,6, 4,8 V.
	Temperatura de funcionamiento	-40 a 85 °C.
	Organización	512M x 16
	Recuento de PIN	96
	Dimensiones del producto	9 x 13,5 x 0,85 mm
	Nivel de selección	Industrial
	Paquete de proveedor	FBGA
	Tipo	DDR3L SDRAM

 

B5116ECMDXGJD

8GB 96 bola FBGA DDR3/3L

Paquete	Configuración	Velocidad Mbps	VDD, VDDQ	Temperatura de funcionamiento
9x13.5x1.2	512Mx16	1866 Mbps	1.35V1	0°C ~ +95°C.

 

Especificaciones
• densidad: 8G bits
• Organización 64Mwords x 16bits x 8banks
• paquete de 96 bolas FBGA sin plomo (conforme a RoHS) y sin halógenos
• Fuente de alimentación: 1,35V (típ) VDD, VDDQ = 1,283V a 1,45V compatible con versiones anteriores para VDD, VDDQ=1,5V 0,075V
• velocidad de datos 1866Mbps / 1600Mbps (máx.)
• Tamaño de página 2KB Dirección de fila: A0 a A15 Dirección de columna: A0 a A9
• ocho bancos internos para operaciones concurrentes
• longitudes de ráfaga (BL): 8 y 4 con ráfaga (BC)
• Tipo de ráfaga (BT): Secuencial (8, 4 con BC) intercalación (8, 4 con BC)
• latencia programable /CAS (lectura) (CL)
• latencia de escritura programable /CAS (CWL)
• precarga: Opción de precarga automática para cada acceso por ráfaga
• Fuerza del conductor: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240Ω)
• Actualizar: Auto-actualizar, auto-actualizar


Características
• Arquitectura de doble velocidad de datos: Dos transferencias de datos por ciclo de reloj
• la transferencia de datos a alta velocidad se realiza en el 8 bits prefetch arquitectura pipelined
• estrobo diferencial bidireccional de datos (DQS y /DQS) se transmite/recibe con datos para capturar datos en el receptor
• DQS está alineado con los bordes de los datos para lecturas; alineado con los datos para escrituras
• Entradas de reloj diferencial (CK y /CK)
• DLL alinea las transiciones DQ y DQS con las transiciones CK
• comandos introducidos en cada arista CK positiva; datos y máscara de datos referenciados a ambos bordes de DQS
• Máscara de datos (DM) para escribir datos
• Publicado /CAS por latencia aditiva programable para un mejor comando y eficiencia del bus de datos
• terminación en placa (ODT) para una mejor calidad de señal ODT síncrono ODT dinámico ODT asíncrono
• Registro de usos múltiples (MPR) para la lectura de patrones predefinidos
• calibración ZQ para DQ Drive y ODT
• actualización automática (ASR)
• /RESETEAR pin para secuencia de encendido y función de reinicio
• rango de SRT: Normal/extendido
• controlador de salida programable, impedancia contro




 

Números de pieza estándar y especificaciones

D1216ECMDXGJD

2GB 96 bola FBGA DDR3/3L

Paquete	Configuración	Velocidad Mbps	VDD, VDDQ	Temperatura de funcionamiento
7,5x13,5x1.2	128 Mx16	1866 Mbps	1,35V	0°C ~ +95°C.

D2568ECMDPGJD

2GB 78 bola FBGA DDR3/3L

Paquete	Configuración	Velocidad Mbps	VDD, VDDQ	Temperatura de funcionamiento
7,5x10,6x1.2	256Mx8	1866 Mbps	1,35V	0°C ~ +95°C.

D2516ECMDXGJD

4GB 96 bola FBGA DDR3/3L

Paquete	Configuración	Velocidad Mbps	VDD, VDDQ	Temperatura de funcionamiento
7,5x13,5x1.2	256Mx16	1866 Mbps	1.35V1	0°C ~ +95°C.

D5128ECMDPGJD

4GB 78 bola FBGA DDR3/3L

Paquete	Configuración	Velocidad Mbps	VDD, VDDQ	Temperatura de funcionamiento
7,5x10,6x1.2	512Mx8	1866 Mbps	1.35V1	0°C ~ +95°C.

D2516ECMDXGME

4GB 96 bola FBGA DDR3/3L

Paquete	Configuración	Velocidad Mbps	VDD, VDDQ	Temperatura de funcionamiento
7,5x13,5x1.2	256Mx16	2133 Mbps	1.35V1	0°C ~ +95°C.

B5116ECMDXGJD

8GB 96 bola FBGA DDR3/3L

Paquete	Configuración	Velocidad Mbps	VDD, VDDQ	Temperatura de funcionamiento
9x13.5x1.2	512Mx16	1866 Mbps	1.35V1	0°C ~ +95°C.

D1216ECMDXGJDI

2GB 96 bola FBGA DDR3/3L I-Temp

Paquete	Configuración	Velocidad Mbps	VDD, VDDQ	Temperatura de funcionamiento
7,5x13,5x1.2	128 Mx16	1866 Mbps	1,35V	-40°C ~ +95°C.

D2568ECMDPGJDI

2GB 78 bola FBGA DDR3/3L I-Temp

Paquete	Configuración	Velocidad Mbps	VDD, VDDQ	Temperatura de funcionamiento
7,5x10,6x1.2	256Mx8	1866 Mbps	1,35V	-40°C ~ +95°C.

D2516ECMDXGJDI

4GB 96 bola FBGA DDR3/3L I-Temp

Paquete	Configuración	Velocidad Mbps	VDD, VDDQ	Temperatura de funcionamiento
7,5x13,5x1.2	256Mx16	1866 Mbps	1.35V1	-40°C ~ +95°C.

D5128ECMDPGJDI

4GB 78 bola FBGA DDR3/3L I-Temp

Paquete	Configuración	Velocidad Mbps	VDD, VDDQ	Temperatura de funcionamiento
7,5x10,6x1.2	512Mx8	1866 Mbps	1.35V1	-40°C ~ +95°C.

D2516ECMDXGMEI

4GB 96 bola FBGA DDR3/3L I-Temp

Paquete	Configuración	Velocidad Mbps	VDD, VDDQ	Temperatura de funcionamiento
7,5x13,5x1.2	256Mx16	2133 Mbps	1.35V1	-40°C ~ +95°C.

B5116ECMDXGJDI

8GB 96 bola FBGA DDR3/3L I-Temp

Paquete	Configuración	Velocidad Mbps	VDD, VDDQ	Temperatura de funcionamiento
9x13.5x1.2	512Mx16	1866 Mbps	1.35V1	-40°C ~ +95°C.

D5116AN9CXGRK

8GB 96 bola FBGA DDR4 C-Temp

Paquete	Configuración	Velocidad Mbps	VDD, VDDQ	Temperatura de funcionamiento
7,5x13x1.2	512Mx16	2666 Mbps	1,2V	0°C ~ +95°C.

D5116AN9CXGXN

8GB 96 bola FBGA DDR4 C-Temp

Paquete	Configuración	Velocidad Mbps	VDD, VDDQ	Temperatura de funcionamiento
7,5x13,5x1.2	512Mx16	3200 Mbps	1,2V	0°C ~ +95°C.

 

 

 

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