forma: | hqfp64 |
---|---|
Tipo de conductor: | Bipolar Circuito Integrado |
Integración: | MSI |
Técnica: | Semiconductor IC |
mfg.: | aos |
d/c: | 22+ |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
AONR21357: Canal P 30 V 21A (ta), 34A (TC) 5W (ta), 30W (TC) montaje superficial 8-DFN-EP (3x3)
MFR. Nº de pieza: AONR21357
MFR.: AOS
Hoja de datos: (Enviar por correo electrónico o charlar para el archivo PDF)
Estado DE ROHS:
Calidad: 100% original
Garantía: UN AÑO
Estado del producto
|
Activo
|
|
Tipo de FET
|
Canal P.
|
|
Tecnología
|
MOSFET (óxido metálico)
|
|
Tensión de drenaje a fuente (Vdss)
|
30 V
|
|
Corriente - continuo drenaje (ID) a 25°C.
|
21A (ta), 34A (TC)
|
|
Tensión de la unidad (RDS máx. Activado, RDS mín. Activado)
|
4,5V, 10V
|
|
RDS activado (máx.) @ ID, VGS
|
7,8mOhm @ 20A, 10V
|
|
VGS(TH) (Máx.) @ ID
|
2,3V a 250µA
|
|
Carga de compuerta (QG) (máx.) a VGS
|
70 NC a 10 V.
|
|
VGS (máx.)
|
±25V
|
|
Capacitancia de entrada (CISS) (máx.) a VDS
|
2830 pF a 15 V.
|
|
Función FET
|
-
|
|
Disipación de potencia (máx.)
|
5W (ta), 30W (TC)
|
|
Temperatura de funcionamiento
|
-55°C ~ 150°C (TJ)
|
|
Tipo de montaje
|
Montaje superficial
|
|
Paquete de dispositivo de proveedor
|
8-DFN-EP (3x3)
|
|
Paquete / caja
|
8-PowerVDFN
|
|
Número de producto base
|
AONR213
|
DESCRIPCIÓN
• última tecnología avanzada de trincheras
• RDS bajo (ACTIVADO)
• capacidad de corriente alta
• compatible con RoHS y sin halógenos
APLICACIÓN
• interruptor de carga de entrada de CA para portátiles
• carga/descarga de protección de la batería
Aviso: