• AONR21357 MOSFET TRANS P-CH 30V 21A
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AONR21357 MOSFET TRANS P-CH 30V 21A

forma: hqfp64
Tipo de conductor: Bipolar Circuito Integrado
Integración: MSI
Técnica: Semiconductor IC
mfg.: aos
d/c: 22+

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Miembro Diamante Desde 2018

Proveedores con licencias comerciales verificadas

Empresa Comercial

Información Básica.

No. de Modelo.
AONR21357
paquete
dfn8
calidad
original nuevo
Paquete de Transporte
Caja
Origen
China
Código del HS
8542390000
Capacidad de Producción
1000000PCS

Descripción de Producto

Descripción

AONR21357:   Canal P 30 V 21A (ta), 34A (TC) 5W (ta), 30W (TC) montaje superficial 8-DFN-EP (3x3)

MFR. Nº de pieza: AONR21357

MFR.: AOS

Hoja de datos:  AONR21357 Trans MOSFET P-CH 30V 21A(Enviar por correo electrónico o charlar para el archivo PDF)

Estado DE ROHS:  AONR21357 Trans MOSFET P-CH 30V 21A

Calidad: 100% original

Garantía: UN AÑO

 

Estado del producto
Activo
 
Tipo de FET
Canal P.
 
Tecnología
MOSFET (óxido metálico)
 
Tensión de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
 
Corriente - continuo drenaje (ID) a 25°C.
21A (ta), 34A (TC)
 
Tensión de la unidad (RDS máx. Activado, RDS mín. Activado)
4,5V, 10V
 
RDS activado (máx.) @ ID, VGS
7,8mOhm @ 20A, 10V
 
VGS(TH) (Máx.) @ ID
2,3V a 250µA
 
Carga de compuerta (QG) (máx.) a VGS
70 NC a 10 V.
 
VGS (máx.)
±25V
 
Capacitancia de entrada (CISS) (máx.) a VDS
2830 pF a 15 V.
 
Función FET
-
 
Disipación de potencia (máx.)
5W (ta), 30W (TC)
 
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
 
Tipo de montaje
Montaje superficial
 
Paquete de dispositivo de proveedor
8-DFN-EP (3x3)
 
Paquete / caja
8-PowerVDFN
 
Número de producto base
AONR213


DESCRIPCIÓN
• última tecnología avanzada de trincheras
• RDS bajo (ACTIVADO)
• capacidad de corriente alta
• compatible con RoHS y sin halógenos

APLICACIÓN
• interruptor de carga de entrada de CA para portátiles
• carga/descarga de protección de la batería





AONR21357 Trans MOSFET P-CH 30V 21A


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