• AO3414 MOSFET TRANS N-CH 20V 3A
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AO3414 MOSFET TRANS N-CH 20V 3A

forma: hqfp64
Tipo de conductor: Bipolar Circuito Integrado
Integración: MSI
Técnica: Semiconductor IC
mfg.: aos
d/c: 22+

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Miembro Diamante Desde 2018

Proveedores con licencias comerciales verificadas

Empresa Comercial

Información Básica.

No. de Modelo.
AO3414
paquete
sot23
calidad
original nuevo
Paquete de Transporte
Box
Origen
China
Código del HS
8542390000
Capacidad de Producción
1000000PCS

Descripción de Producto

Descripción

AO3414:   Canal N 20 V 3A (ta) 1,4W (ta) montaje superficial SOT-23-3

MFR. Nº de pieza: AO3414

MFR.: AOS

Hoja de datos:  AO3414 Trans MOSFET N-CH 20V 3A(Enviar por correo electrónico o charlar para el archivo PDF)

Estado DE ROHS:  AO3414 Trans MOSFET N-CH 20V 3A

Calidad: 100% original

Garantía: UN AÑO


 

Estado del producto
No para nuevos diseños
 
Tipo de FET
Canal N.
 
Tecnología
MOSFET (óxido metálico)
 
Tensión de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
 
Corriente - continuo drenaje (ID) a 25°C.
3A (ta)
 
Tensión de la unidad (RDS máx. Activado, RDS mín. Activado)
1,8V, 4,5V
 
RDS activado (máx.) @ ID, VGS
50Mohm @ 4,2A, 4,5V
 
VGS(TH) (Máx.) @ ID
1V a 250µA
 
Carga de compuerta (QG) (máx.) a VGS
6,2 NC a 4,5 V.
 
VGS (máx.)
±8V
 
Capacitancia de entrada (CISS) (máx.) a VDS
436 pF a 10 V.
 
Función FET
-
 
Disipación de potencia (máx.)
1,4W (ta)
 
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
 
Tipo de montaje
Montaje superficial
 
Paquete de dispositivo de proveedor
SOT-23-3
 
Paquete / caja
3-SMD, variante SOT-23-3
 
Número de producto base
AO34

 


El AO3414 utiliza tecnología avanzada de trincheras para proporcionar excelente RDS(ON), carga de compuerta baja y operación con voltajes de compuerta tan bajos como 1,8V. Este dispositivo es adecuado para su uso como interruptor de carga o en aplicaciones PWM.






AO3414 Trans MOSFET N-CH 20V 3A


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