forma: | hqfp64 |
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Tipo de conductor: | Bipolar Circuito Integrado |
Integración: | MSI |
Técnica: | Semiconductor IC |
mfg.: | aos |
d/c: | 22+ |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
AO3414: Canal N 20 V 3A (ta) 1,4W (ta) montaje superficial SOT-23-3
MFR. Nº de pieza: AO3414
MFR.: AOS
Hoja de datos: (Enviar por correo electrónico o charlar para el archivo PDF)
Estado DE ROHS:
Calidad: 100% original
Garantía: UN AÑO
Estado del producto
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No para nuevos diseños
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Tipo de FET
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Canal N.
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Tecnología
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MOSFET (óxido metálico)
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Tensión de drenaje a fuente (Vdss)
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20 V
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Corriente - continuo drenaje (ID) a 25°C.
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3A (ta)
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Tensión de la unidad (RDS máx. Activado, RDS mín. Activado)
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1,8V, 4,5V
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RDS activado (máx.) @ ID, VGS
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50Mohm @ 4,2A, 4,5V
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VGS(TH) (Máx.) @ ID
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1V a 250µA
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Carga de compuerta (QG) (máx.) a VGS
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6,2 NC a 4,5 V.
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VGS (máx.)
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±8V
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Capacitancia de entrada (CISS) (máx.) a VDS
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436 pF a 10 V.
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Función FET
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-
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Disipación de potencia (máx.)
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1,4W (ta)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo de montaje
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Montaje superficial
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Paquete de dispositivo de proveedor
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SOT-23-3
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Paquete / caja
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3-SMD, variante SOT-23-3
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Número de producto base
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AO34
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El AO3414 utiliza tecnología avanzada de trincheras para proporcionar excelente RDS(ON), carga de compuerta baja y operación con voltajes de compuerta tan bajos como 1,8V. Este dispositivo es adecuado para su uso como interruptor de carga o en aplicaciones PWM.
Aviso: