Metalización sustrato Beo de cerámica

• Aplicación: Aisladores, Aislamiento de Devanado Eléctrico, Base y Capa de Aparato Eléctrico, Barniz Aislante, Placa Base de Interruptor
• Tipo: Película Aislante
• Química: High Thermal Conductivity
• Material: Eryllium Oxide
• Térmica Clasificación: 1800 Degree C
• Tensión máxima: <10KV
• No. de Modelo.: RY-T035
• Clasificación: Heat Resistance
• Certificación: UL, ISO9001, SGS
• Color: Blanco
• Marca: Ry
• Paquete de Transporte: PE Bag and Carton
• Especificación: customized
• Origen: Hunan
• Código del HS: 854710000
• Capacidad de Producción: 10000 PCS Per Month

Descripción de Producto

 Sustrato cerámico BEO
1. La alúmina ( sustrato Al2O3 ).
Al2O3 sustrato es el más popular de substrato cerámico, con el calor excelente
La resistencia, alta resistencia mecánica, resistencia a la abrasión y pequeños dieléctrico
La pérdida.La superficie del sustrato de la alúmina es bastante suave y baja porosidad.el 99,6%
El sustrato de la alúmina es adecuado para el dispositivo de película fina, el 96% de la alúmina sustrato es adecuado para la  aplicación del dispositivo de película gruesa .
 
2. De nitruro de aluminio ( AlN sustrato ).
De nitruro de aluminio tiene mayor conductividad térmica, en comparación con la alúmina sustrato. Se trata de  7 a 8 veces alto. AlN sustrato es un excelente paquete electrónico de material.
 
3. Zirconia ( ZrO2 sustrato ).
En comparación con el sustrato de alúmina, sustrato de ZrO2 tiene una mayor resistencia mecánica y la  tenacidad de fractura es tres veces mayor para la resistencia a la flexión, dos veces para la  tenacidad de fractura de la alúmina sustrato. ZrO2( circonia ) también proporciona una buena resistencia a la abrasión. Cuenta con una tasa de expansión térmica cerca de los metales.
 

Propiedades de sustratos de cerámica
Los materiales	Al2O3		AlN	ZrO2
	El 96%	99.60%
El color	Blanco	Blanco	Gris	Blanco
La Densidad (g/cm 3 ).	3.72	3.85	3.3	6.04
Conductividad térmica (W/m. K)	22.3	29.5	160 -190	2.4
La expansión térmica (x10 / S -6 C)	8	8.2.	4.6	10
Rigidez dieléctrica	1,40E+07	1.80E+07	1,40E+07
La constante dieléctrica (a 1 MHZ).	9.5	9.8	8.7	29
La tangente de pérdida (x10 de -4 a 1 MHZ).	3	2	5	1.00E-03
La resistividad de volumen (ohm-m)	>10 14	>10 14	>10 14
Fuerza de flexión (N/mm 2 ).	350	500	450