SUSTRATO cerámico LED

• Aplicación: Aisladores, Aislamiento de Devanado Eléctrico, Recubrimiento Aislante de Bobinado, Base y Capa de Aparato Eléctrico, Motor, Barniz Aislante, Placa Base de Interruptor
• Tipo: Película Aislante
• Química: Plate Substrate
• Material: Cerámica
• Térmica Clasificación: 250 250
• Tensión máxima: 20KV~100KV
• No. de Modelo.: RY-T070
• Clasificación: Materiales aislamiento híbridos
• Certificación: UL, ISO9001, SGS
• Color: Blanco
• Marca: Ry
• Paquete de Transporte: Wooden Box Packing
• Especificación: customized
• Origen: China
• Código del HS: 854710000
• Capacidad de Producción: 5000000PCS Per Month

Descripción de Producto

 

Sustrato cerámico
1. Alúmina ( sustrato Al2O3 )
El sustrato Al2O3 es el sustrato cerámico más popular, con excelente calor
resistencia, alta resistencia mecánica, resistencia a la abrasión y dieléctrico pequeño
La superficie del sustrato de alúmina es bastante lisa y baja porosidad.99,6%
el sustrato de alúmina es adecuado para dispositivos de película fina, el sustrato de alúmina al 96% es adecuado para aplicaciones de dispositivos de película gruesa.
 
2. Nitruro de aluminio ( sustrato de AlN )
El nitruro de aluminio tiene una mayor conductividad térmica, en comparación con el sustrato de alúmina. Es de 7 a 8 veces más alto. El sustrato de ALN es un excelente material de embalaje electrónico.
 
3. Circonia ( ZrO2 sustrato )
En comparación con el sustrato de alúmina, el sustrato ZrO2 tiene una mayor resistencia mecánica y resistencia a la fractura es aproximadamente tres veces mayor para la resistencia a la flexión, dos veces mayor para la resistencia a la fractura que el sustrato de alúmina. ZrO2( zirconia ) también proporciona una buena resistencia a la abrasión. Cuenta con una tasa de expansión térmica cercana a los metales.
 

Propiedades de los sustratos cerámicos
Materiales	Al2O3		No	ZrO2
	96%	99,60%
Color	Blanco	Blanco	Gris	Blanco
Densidad (g/cm 3 )	3,72	3,85	3,3	6,04
Conductividad térmica (W/m. K)	22,3	29,5	160 -190	2,4
Expansión térmica (x10 -6 / o C)	8	8,2	4,6	10
Rigidez dieléctrica	1,40E+07	1,80E+07	1,40E+07
Constante dieléctrica (a 1MHz)	9,5	9,8	8,7	29
Pérdida tangente (x10 -4 a 1MHz)	3	2	5	1,00E-03
Resistividad del volumen (ohmios-m)	>10 14	>10 14	>10 14
Fuerza flexural (N/mm 2 )	350	500	450