Gran Proveedor de la placa de cerámica de óxido de berilio manguito Beo disipador de calor

• Aplicación: Aisladores, Aislamiento de Devanado Eléctrico, Base y Capa de Aparato Eléctrico, Barniz Aislante, Placa Base de Interruptor
• Tipo: Película Aislante
• Química: High Thermal Conductivity
• Material: Eryllium Oxide
• Térmica Clasificación: 1800 Degree C
• Tensión máxima: <10KV
• No. de Modelo.: RY-T200
• Clasificación: Heat Resistance
• Certificación: UL, ISO9001, SGS
• Color: Blanco
• Marca: Ry
• Paquete de Transporte: PE Bag and Carton
• Especificación: customized
• Origen: Hunan
• Código del HS: 854710000
• Capacidad de Producción: 10000 PCS Per Month

Descripción de Producto

BeO productos cerámicos
Óxido de berilio (BeO) los materiales cerámicos de gran demanda debido a su excelente rendimiento a altas temperaturas junto con una conductividad térmica en segundo lugar solamente a diamond, entre los materiales aislantes.Ofrecemos soluciones a cualquier componente que debe proporcionar una alta conductividad térmica en conjunción con la resistividad eléctrica.  Sobre la base de nuestra exclusiva combinación de materiales de formación, disparos y las tecnologías de fabricación, estamos expandiendo rápidamente nuestra cartera de productos para proporcionar la siguiente generación de beryllia los materiales cerámicos.
El tamaño físico del dispositivo o la carcasa es reducida.  
El dispositivo está expuesto a altas temperaturas ambiente
El flujo de aire o líquido refrigeración no es práctico o prohibitivo
El material ideal para los disipadores de calor en circuitos electrónicos

El tema	Las condiciones de prueba	Las unidades y símbolos	Los indicadores
La densidad aparente		G/cm 3	≥2.85
Contenido de óxido de berilio		%	≥99
Estanqueidad			Pasado
La permeabilidad de líquido			Pasado
Fuerza de flexión		MPa	≥140
El choque térmico resistencia			Pasado
Coeficiente de dilatación lineal	20ºC-500ºC	×10 /-4 °C.	7-8.5
Coeficiente de conductividad térmica	40º C.	W/m·K	≥250
Constante de distribución	1MHz a 20ºC		6.5-7.5
	20ºC 10GHz		6.5-7.5
El valor de la tangente de pérdida dieléctrica	1MHz a 20ºC	×10 -4	≤4
	20ºC 10GHz	×10 -4	≤8
La resistividad de volumen	100ºC	Ω.cm.	≥10 13
	300ºC	Ω.cm.	≥10 10
La huelga fuerza	DC	KV/mm	≥15
La estabilidad química	1:9HCl	Ug/cm 2	≤0.3
	El 10% de NaOH	Ug/cm 2	≤0.2

Mejor crisol material para las operaciones de fusión y sinterización al ofrecer una excelente


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