Placa de sustrato de óxido de berilio cerámico

• Aplicación: Aisladores, Aislamiento de Devanado Eléctrico, Base y Capa de Aparato Eléctrico, Barniz Aislante, Placa Base de Interruptor
• Tipo: Película Aislante
• Química: alta conductividad térmica
• Material: óxido de erilio
• Térmica Clasificación: 1800 grados c
• Tensión máxima: <10KV
• No. de Modelo.: RY-T199
• Clasificación: resistencia al calor
• Certificación: ISO9001
• Color: Blanco
• Marca: ¡vaya
• Paquete de Transporte: PE Bag and Carton
• Especificación: customized
• Origen: Hunan
• Código del HS: 854710000
• Capacidad de Producción: 10000 PCS Per Month

Descripción de Producto

Productos cerámicos BEO
Los materiales cerámicos de óxido de berilio (BeO) tienen una alta demanda debido a su rendimiento superior a altas temperaturas junto con una conductividad térmica secundaria sólo al diamante entre los materiales aislantes. Ofrecemos soluciones a cualquier componente que debe proporcionar alta conductividad térmica junto con resistividad eléctrica.  Basándonos en nuestra combinación única de tecnologías de fabricación, combustión y formación de materiales, estamos ampliando rápidamente nuestra cartera de productos para proporcionar la próxima generación de materiales cerámicos de berillia.
El tamaño físico del dispositivo o del gabinete se reduce.  
El dispositivo está expuesto a altas temperaturas ambiente
El flujo de aire o el enfriamiento por líquido no son prácticos ni prohibitivos
Materiales ideales para disipadores de calor en circuitos electrónicos

Elemento	Las condiciones de prueba	Unidades y símbolos	Indicadores
Densidad de masa		g/cm 3	≥2,85
Contenido de óxido de berilio		%	≥99
Estanqueidad al aire			Aprobado
Permeabilidad de fluidos			Aprobado
Fuerza flexural		MPa	≥140
Resistencia a los golpes térmicos			Aprobado
Coeficiente de expansión lineal	20ºC-500ºC.	×10 -4 /ºC	7-8,5
Coeficiente de conductividad térmica	40ºC.	W/m·k	≥250
Constante de distribución	1MHz 20ºC.		6,5-7,5
	10GHz 20ºC.		6,5-7,5
Valor de la tangente de la pérdida dieléctrica	1MHz 20ºC.	×10 -4	≤4
	10GHz 20ºC.	×10 -4	≤8
Resistividad de volumen	100ºC.	Ω cm	≥10 13
	300ºC.	Ω cm	≥10 10
Fuerza de ataque	DC	KV/mm	≥15
Estabilidad química	1:9HCl	ug/cm 2	≤0,3
	10% NaOH	ug/cm 2	≤0,2

Material crisol ideal para operaciones de fusión y sinterización que proporcionan un excelente


¡consultas bienvenidas!