| Refractariedad (℃): | 1770 < Refractariedad < 2000 |
|---|---|
| Característica: | Materiales de Tiempo Largo, Material Instantáneo |
| Tipo: | Material Refractario |
| Forma: | Ladrillo |
| Material: | nitruro de boro |
| nombre del producto: | boquillas cerámicas de nitruro de boro de alta calidad |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
Proveedor Auditado | Elemento | Unidad | Datos | |
| Constante de entramado | μ m | a:2,504×10-10 c:6,692×10-10 | |
| Densidad aparente | g/cm3 | 2,0-2,19 | |
| Microdureza (Knoop) (plano ab ) | N/mm2 | 691,88 | |
| Resistividad del volumen | Ω·cm | 3,11×1011 | |
| Resistencia a la tracción (|| "C") | N/mm2 | 153,86 | |
| Resistencia a la flexión | (|| "C") | N/mm2 | 243,63 |
| (⊥"C") | N/mm2 | 197,76 | |
| Módulo de elasticidad | N/mm2 | 235690 | |
| Conductividad térmica | W/m·k | "a" dirección "c" dirección | |
| (200°C) | W/m·k | 60 2,60 | |
| (900°C) | W/m·k | 43,70 2,80 | |
| Rigidez dieléctrica ( temperatura ambiente) | KV/mm | 56 | |
| Anillos de rotura para fundición horizontal de acero | Tomas de corriente para equipos de alta tensión |
| Barcos de evaporación para metalización de aluminio | Boquillas para metales no ferrosos |
| Componentes para la fabricación de semiconductores | Crisoles para el crecimiento del cristal |
| Amortiguadores de neutrones | Obleas de fuente de difusión |
| Dopante de boro para oblea de silicio | Aisladores en la cámara de recubrimiento de vacío PVD / CVD |
| Plantillas de montaje de componentes electrónicos | Componentes electrónicos y sustratos |
| Espaciadores para el vidrio se derrite y no ferroso | ... |
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