Objetivo de pulverización de tungsteno de alta pureza al 99,999% para revestimiento de película fina, personalización del objetivo de rectángulo cuadrado de tungsteno

• Application: Electronics, Industrial
• Standard: GB
• Purity: 99.999%
• Alloy: Non-alloy
• Shape: Powder
• Type: Sputtering Target
• No. de Modelo.: W-5Ntarget
• Paquete de Transporte: Wooden Box Package
• Especificación: customization
• Marca Comercial: rheniumet
• Origen: China
• Código del HS: 4301962010
• Capacidad de Producción: 10000piece/Year

Descripción de Producto

Descripción del producto

 

Aplicación:

Los objetivos de tungsteno de alta pureza, los objetivos de aleación de tungsteno-titanio de alta pureza y los objetivos compuestos de tungsteno-silicio se suelen aplicar mediante el espumamiento de magnetrón para producir varios materiales de película fina complejos y de alto rendimiento. Debido a que el tungsteno de alta pureza o el tungsteno ultrapuro (5 N o 6 N) tiene una alta resistencia a la migración de electrones, a la estabilidad a altas temperaturas y a la capacidad de formar silicidas estables, a menudo se utiliza como película delgada en la industria electrónica como puerta, conexión, transición y barrera de metal. El tungsteno de pureza ultra alta y sus suicidios también se utilizan en circuitos integrados a gran escala como capas de resistencia, barreras de difusión, etc., y como materiales de inyección y materiales de conexión en transistores de semiconductores de óxido metálico. Los objetivos de esputo de aleación de tungsteno-titanio se utilizan a menudo para hacer capas de transición de metal de células solares de película fina.

 

Especificación:

Nombre	Fórmula molecular	Especificación	Tamaño		Densidad relativa	Tamaño de grano	Tasa de defectos
Objetivo de tungsteno	W	4N (99,99%)	Pulgadas	mm	≥99%	≯50µm	0
		5N (99,999%)	D(6,8,10,12) H(0.25,0.5,0.75)	Diámetro 150~350 Grosor 6~25
Objetivo de tungsteno titanio	WTi10 WTi20	4N (99,99%)			≥99%	≯50µm	0
		4N5 (99,995%)

 

 Componente químico  

Grado de especificación Índice químico			W/(W+TI)≥99,99%			W/(W+TI)≥99,995%				W≥99,999%
Trazas de impurezas totales			≯100 ppm			≯50 ppm				≯10 ppm
Índice de impureza (ppm)			Máx		Valor típico	Máx		Valor típico		Máx		Valor típico
Elementos radiactivos	U		-		0,2	0,1		0,05		0,0008		0,0005
	Th		-		0,2	0,1		0,05		0,0008		0,0005
Elementos metálicos alcalinos	Li		1		0,05	0,02		0,01		0,01		0,003
	Na		5		1	0,5		0,2		0,1		0,05
	K		5		1	0,1		0,05		0,05		0,03
Ma, Re			10		5	10		5		1		0,5
Fe,Cr			10		5	5		3		0,5		0,3
CA,Si,Cu,ni,al,Zn,Sn,Mn,Co,Hg,V			2		1	0,5		0,3		0,2		0,2
P,AS,se			2		1	0,5		0,2		0,2		0,2
B,Pb,SB,Ba,Bi,CD,GE,Nb,Pt,mg,ZR,Au,in,GA,AG			1		0,5	0,5		0,1		0,1		0,1
Todos los demás elementos individuales			1		0,5	0,5		0,1		0,1		0,1
Análisis de gases (≯,ppm)		O		C			N		H		S
		30		20			20		20		10

 

Según el propósito de uso, existen diferentes requisitos para el contenido de impurezas de objetivos de tungsteno de alta pureza y objetivos de tungsteno-titanio. Generalmente, la pureza química debe estar entre el 99,99% y el 99,999%. También podemos personalizar otras especificaciones adecuadas para la aplicación de acuerdo con los requisitos del usuario.

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