Oblea de silicio de diodo G1/oblea de silicio de grado solar G1/G1 oblea/oblea solar G1/M2+ Wafer

• Application: Temperature Measurment & Optics Applying
• Conductivity Type: All
• Purity: All
• Type: Silicon Wafer G1
• sustrato: silicio monocristalino
• distancia focal: +-2% @10,6um
• No. de Modelo.: RAY-OS213#
• tolerancia de tamaño: 0/-0,15mm
• tolerancia de espesor: +/-10um
• carácter óptico: 2-5um @ tave menos de 1%; 5,5-14um @ tave más tha
• paralelismo: menos de 1 minutos de arco
• acabado superficial: 60-40 scratch-dig
• tecnología de fabricación: semiconductor optoelectrónico
• material: elemento semiconductor
• paquete: personalizar según demanda
• procesamiento de señales: compuesto digital analógico y función
• modelo: según la demanda
• número de lote: según la demanda
• marca: raytek
• Paquete de Transporte: 100PCS Per Carton
• Especificación: custom as per demand
• Marca Comercial: raytek
• Origen: China
• Código del HS: 281122900
• Capacidad de Producción: 100000000PCS Per Year

Descripción de Producto

Grado solar Silicon Wafer

Las células solares se dividen en silicio cristalino y silicio amorfo. Las células de silicio cristalino pueden dividirse en células de cristal único y células policristalinas; la eficiencia del silicio monocristalino también es diferente de la del silicio policristalino. A continuación se presenta una breve introducción al material de la oblea de silicio solar y el propósito de la oblea de silicio solar.

¿Cuál es el material de la oblea de silicio solar
Las células solares se dividen en células solares de silicio monocristalino, células solares de película fina de silicio policristalino y células solares de película fina de silicio amorfo.
Una forma de silicio elemental. Cuando el silicio fundido se solidifica, los átomos de silicio se organizan en entramado de diamantes en muchos núcleos de cristal. Si estos núcleos de cristal crecen en granos con la misma orientación de plano de cristal, estos granos se combinarán en paralelo para cristalizar en silicio monocristalino.
El polisilicio es una forma de silicio monocristalino. Cuando el silicio fundido se solidifica bajo condiciones de superenfriamiento, los átomos de silicio se organizan en muchos núcleos de cristal en forma de entramado de diamantes. Si estos núcleos de cristal crecen en granos con diferente orientación de plano de cristal, estos granos se combinan para cristalizar en silicio policristalino.

El silicio amorfo se prepara a partir de aleaciones amorfas. Para obtener silicio amorfo, se requiere una alta velocidad de enfriamiento, y los requisitos específicos para la velocidad de enfriamiento dependen del material. El silicio requiere una velocidad de enfriamiento muy alta. En la actualidad, el estado amorfo no puede obtenerse por el enfriamiento rápido líquido. En los últimos años, se han desarrollado muchas técnicas para la deposición de vapor de películas de silicio amorfo, incluyendo evaporación al vacío, descarga de brillo, esputo y deposición de vapor químico. Generalmente, las principales materias primas utilizadas son el monosilano (SiH4), el disilano (si2h6), el tetrafluoruro de silicio (SiF4), etc., con altos requisitos de pureza. La estructura y las propiedades de la película de silicio amorfo están estrechamente relacionadas con el proceso de preparación. En la actualidad, se considera que la calidad de la película de silicio amorfo preparada por el método de descarga de brillo es la mejor, y el equipo no es complejo.


Aplicación de oblea de silicio solar
Convierte la energía de la luz en electricidad. En pocas palabras, porque la energía de los fotones irradia la posición del agujero de electrones en la unión de la pn del semiconductor compuesta de silicio y germanio, los electrones saltarán, dando como resultado un voltaje en el silicio del semiconductor en ambos extremos. Si la tensión forma un circuito, se generará una corriente.

Especificación de tamaño principal:
G1,M2,M6,M10,G12

Datos técnicos principales:

Parámetros técnicos del nivel de diodos chip de cristal sencillo de 3 pulgadas	Parámetros técnicos del nivel de diodos chip de cristal sencillo de 4 pulgadas
1. Tamaño 1,1 diámetro de oblea de silicio.  :76,2 +/- 0,4mm 1,2 flexión: ≤0,035mm 1,3 tolerancia de espesor :≤0,03 mm 1,4 perpendicularidad Las líneas diagonales del rectángulo en la película son igual Tolerancia :+/-0,5mm 2. Datos técnicos 2,1 parámetros conductivos :N Tipo 2,2 Resistividad :5-6OΩ .cm o personalizada 2,3 vida de minoridad-portadora: ≥100 μ s 2,4 Contenido de oxígeno : <1,0 ×1018atoms/cm3 2,5 Contenido de carbono : <5,0 × 1016atoms/cm3 2,6 Orientación cristalina : 111± 1,50 2,7 densidad de dislocación : ≤3000pcs /cm3 2,8 grosor:280-305μm	1.Tamaño 1,1 diámetro de oblea de silicio: 100±0,5mm 1,2 TTV: 0.005μm 1,3 flexión: ≤0,030mm 2.datos técnicos 2,1 Resistividad: 5-60Ω.cm o personalizada 2,2 parámetros conductivos: Tipo N.   2,3 vida de minoridad-portadora: ≥100μs 2,4 Contenido de oxígeno: <1×1018atoms/ cm3 2,5 Contenido de carbono: <5×1016atoms/ cm3 2,6 Orientación del cristal: 111±1,5°
Parámetros técnicos de cristal sencillo de 6 pulgadas chip para célula solar	Parámetros técnicos de 6 pulgadas único chip de cristal para célula solar
1. Tamaño 1. 1 oblea de silicio Dia: 160/150±0,4mm 1. 2 oblea de silicio ancho: 125±0,4mm 1. 3 grosor del silicio: 200/190±20μm 1. 4 TTV: 0,03mm 1. 5 perpendicularidad Las líneas diagonales del rectángulo en la película son igual Tolerancia: ±0,5mm 1. 6 flexión: ≤0,035mm 2. Datos técnicos 2,1 Resistividad: 0,5-3Ω.cm 2,2 parámetros conductivos:  Tipo N/P.   2,3 vida de minoridad-portadora: ≥10μs 2,4 Contenido de oxígeno: <1×1018atoms/ cm3 2,5 Contenido de carbono: <10×1016atoms/ cm3 2,6 Orientación del cristal: (100)±2,0° 2,7 densidad de dislocación:≤ 1×103pcs/cm3	1.Tamaño 1. 1 oblea de silicio Dia: 195/200/205±2,0mm 1. 2 oblea de silicio ancho: 156±0,4mm 1. 3 grosor del silicio:: 200/190±10μm 1. 4 TTV: ≤40μm 1. 5 perpendicularidad: 90°±3° 1. 6 flexión: ≤0,035mm 2. Datos técnicos 2,1 Resistividad: 0,5-3/3-6Ω.cm 2,2 parámetros conductivos: Tipo N/P.   2,3 vida de minoridad-portadora: ≥10μs 2,4 Contenido de oxígeno: <1×1018atoms/ cm3 2,5 Contenido de carbono: <10×1016atoms/ cm3 2,6 Orientación del cristal: (100)±2° 2,7 densidad de dislocación: ≤1×103pcs/cm3

Principales países y áreas de exportación:  
EE.UU., Reino Unido, Japón, Alemania, España, Francia, Suiza, Corea, Rusia, Pakistán, India, Portugal, Canadá, Nueva Zelanda, Australia, Árabe Saudita, Turquía, Finlandia, Polonia, etc.

Raytekoptics Servicios de valor añadido adicionales ofrecidos:
1). Diseño de soluciones de procesos y de trabajo óptico;
2). Materias primas de elaboración en bruto;
3). Materias primas de semiacabado;
4). Fabricar tamaños y formas personalizados;
5). Diseño y suministro de revestimientos personalizados;
6). Modificar y rectificar los materiales suministrados por el cliente;
7). Perfore orificios, corte de vidrio y proporcione sustratos biselados;
8). Óptica pulida de precisión con relaciones de aspecto no estándar;

Forma de pago: Por T/T o Western Union.
Plazo de entrega: 7-10 días.
Garantía de calidad:  Ruitaiphotoelectric (Raytekoptics) ofrece  garantía de calidad para nuestros productos ópticos con la política "3R". Para cualquier producto de calidad inferior, Ruitaiphotoelectric (Raytekoptics) es responsable de la devolución, sustitución y reembolso.