• Lectura rápida Memoria Flash NOR de resistencia a los golpes La memoria Flash China Fabricante Mwd/Lwd el circuito impreso
  • Lectura rápida Memoria Flash NOR de resistencia a los golpes La memoria Flash China Fabricante Mwd/Lwd el circuito impreso
  • Lectura rápida Memoria Flash NOR de resistencia a los golpes La memoria Flash China Fabricante Mwd/Lwd el circuito impreso
  • Lectura rápida Memoria Flash NOR de resistencia a los golpes La memoria Flash China Fabricante Mwd/Lwd el circuito impreso
  • Lectura rápida Memoria Flash NOR de resistencia a los golpes La memoria Flash China Fabricante Mwd/Lwd el circuito impreso
  • Lectura rápida Memoria Flash NOR de resistencia a los golpes La memoria Flash China Fabricante Mwd/Lwd el circuito impreso
Favoritos

Lectura rápida Memoria Flash NOR de resistencia a los golpes La memoria Flash China Fabricante Mwd/Lwd el circuito impreso

Capacidad De Almacenamiento: ≤1G
Tipo de interfaz: Pin
Forma: Rectángulo
Material: Cerámica
Abrir Estilo: Apertura
USB tipo: Disco USB de Creative

Contactar al Proveedor

Miembro de Oro Desde 2021

Proveedores con licencias comerciales verificadas

Fabricante/Fábrica & Empresa Comercial
  • Visión General
  • descripción de producto
  • parametros de producto
  • Productos relacionados
  • Perfil de empresa
  • Nuestras ventajas
  • El embalaje y envío
  • Preguntas frecuentes
Visión General

Información Básica.

No. de Modelo.
LHM128MB/LHM256MB
Color
Gold
Función
USB Disk Storage
Control de seguridad
Seguridad Soporte Check
Paquete de Transporte
Box
Especificación
15.5 x 21.6 /2.54 mm
Marca Comercial
ZITN
Origen
Qingdao, China.
Código del HS
8523511000
Capacidad de Producción
20000

Descripción de Producto

Fast Reading Nor Flash Memory Shock Resistance Flash Memory China Manufacturer for Mwd/Lwd Circuit Board

descripción de producto

 

Fast Reading Nor Flash Memory Shock Resistance Flash Memory China Manufacturer for Mwd/Lwd Circuit Board
Resistencia a altas temperaturas ni la memoria Flash.
LHM128MB /256 MB


LHM 128/256MB es una de alta temperatura y alta fiabilidad ni la memoria universal operada por la interfaz serie SPI. Puede funcionar en el duro entorno de en -45ºC-200ºC durante un largo tiempo.

Rango de temperatura de funcionamiento: en -45ºC~+200ºC (15ºC borrado:~85ºC)
Max corriente de funcionamiento: 50mA escribir; 40mA leer.
Corriente de reposo:
<100 µa

El voltaje Vcc (V): 2.7 V~3,6 V
De alto nivel de entrada de voltaje (V): 0.8Vcc~Vcc+0.3   
Bajo nivel de entrada de voltaje (V): -0.3~0.2VCC
Nivel alto de la salida de voltaje (V): 2.4~Vcc
Bajo nivel de salida de voltaje (V): -0.3~0.4VCC
Leer + la velocidad de escritura: 5MB/s para lectura y escritura de 128KB/s
Paquete: DIP de 16 pines PB free

 

parametros de producto

Tema No. El rango de tensión La estructura Polo
LHM128MB 2.7~3.6V 128m x 8bit Moje16
LHM256MB 2.7~3.6V 256m x 8bit Moje16

Polo Descripción:
 

Fast Reading Nor Flash Memory Shock Resistance Flash Memory China Manufacturer for Mwd/Lwd Circuit Board
Fast Reading Nor Flash Memory Shock Resistance Flash Memory China Manufacturer for Mwd/Lwd Circuit Board

Paquetes:

Fast Reading Nor Flash Memory Shock Resistance Flash Memory China Manufacturer for Mwd/Lwd Circuit Board
Fast Reading Nor Flash Memory Shock Resistance Flash Memory China Manufacturer for Mwd/Lwd Circuit Board

Lista de instrucciones:
Nombre de instrucción Código de instrucciones
Habilitar Escritura 0 x06
Escritura de datos 0 x12
Lectura de datos 0 x13
Leer el estado 0 x05
Leer el estado 2 0 x2B
Leer la configuración 0 x15.
Activar el producto 0 x B7
Borrar 0 x21
Habilitación de RESET 0 x66
Instrucciones de RESET 0 x99
Notas:
  1. Registro de estado de lectura antes de operar, para asegurar que el producto está en el estado correspondiente.
  2. Después de escribir mal comando, el producto entra en modo de espera hasta el próximo CS# no canto, la F*_SO pin en el estado de impedancia.
  3. Después de corregir el mando de escritura, el producto que procesa el estado especificado hasta CS# flanco viene.
  4. Los datos de entrada está cerrada en el flanco de la F*_SCK y desvió la salida en el borde de caída.
  5. Establecer el modo de habilitación antes de operar el producto.
  6. Bytes es la unidad mínima de operación de datos.

Productos relacionados

 
Fast Reading Nor Flash Memory Shock Resistance Flash Memory China Manufacturer for Mwd/Lwd Circuit Board
Fast Reading Nor Flash Memory Shock Resistance Flash Memory China Manufacturer for Mwd/Lwd Circuit Board

 

Perfil de empresa

ZITN es una empresa nacional de alta tecnología, se estableció en 2002 por muchos de los ingenieros de alta tecnología que tienen amplia experiencia en la industria microelectrónica. Con 19 años de desarrollo, ZITN se convirtió en un reconocido líder del sector en China, y tenemos el total de 175 empleados, más del 49% de ellos son de la I+D equipo. Principalmente nos diseño, desarrollo y fabricación de alta precisión en la base de cuarzo inclinómetro, acelerómetros, sistemas de unidades de medición inercial, si el circuito de memoria flash NAND y productos que se utilizan ampliamente para la industria aeroespacial, la perforación de petróleo y gas, la exploración geológica campos.
Fast Reading Nor Flash Memory Shock Resistance Flash Memory China Manufacturer for Mwd/Lwd Circuit Board

 

Nuestras ventajas

Un. Experiencia en el híbrido de película gruesa IC &de gama alta los campos de desarrollo y fabricación de sensores más de 19 años.
B. Patentes de Invención más de 40 proyectos.
C. Institución científica, base de producción de más de 20000 metros cuadrados.
D. Más del 49% de los empleados son de la I+D equipo.
E. Los nuevos clientes de cooperantes a más de1000 recientemente 3 años.
F. capacidad de producción más de 100000/año.
G. Pre-venta profesional, después de la guía de ventas, las soluciones puede ser proporcionado en función de los clientes investigaciones.
H. Servicio personalizado.



El volumen en miniatura ! La tecnología creativa independiente!
A partir de la servo-producción de circuitos a assmble los sensores en one-stop .


Fast Reading Nor Flash Memory Shock Resistance Flash Memory China Manufacturer for Mwd/Lwd Circuit Board

El embalaje y envío

Personalizar el cuadro anti-estática.
A través de la entrega express (DHL, Fedex, TNT, UPS, etc...).
fecha de entrega dentro de 7-10 días después del envío desde nuestra fábrica.

Fast Reading Nor Flash Memory Shock Resistance Flash Memory China Manufacturer for Mwd/Lwd Circuit Board

 

Preguntas frecuentes

¿Qué tipo de servicio pueden proporcionar?
Excepto el modelo stanadrd, también nos puede proporcionar los productos acordes con los clientes requisitos detallados, como la calibración, reparación, actualización, etc...


¿Qué tipo de prueba del producto se hará antes de salir de su fábrica?
Tenemos un estricto sistema de control de calidad para garantizar el rendimiento del producto, tales como la no-magnético Sistema de calibración de la plataforma giratoria, Shock&Vibración sistema de prueba, la temperatura del sistema de prueba del ciclo etc...


Puedo obtener una muestra para su evaluación?
Sí, estamos dispuestos a proporcionar la muestra para la evaluación y de guía para cualquier techical preguntas en todo el proceso.

¿Qué opciones de entrega: ¿Puedo elegir?
Podemos proporcionar el servicio de entrega express de la compañía aérea , como DHL o FEDEX y TNT Express, normalmente 7- 10 días para el transporte es necesario.

Puedo visitar su empresa si estoy interesado?
Sí, nuestra empresa se localiza en la ciudad de Qingdao, tenemos más de 175 empleados, incluido el R&D, producción, Finanzas, Marketing, etc...


Para información más detallada, por favor, siéntase libre de contactar con nosotros, por favor enviar consulta a nuestro gerente de ventas directamente!
Fast Reading Nor Flash Memory Shock Resistance Flash Memory China Manufacturer for Mwd/Lwd Circuit Board

Enviar directamente tu consulta a este proveedor

*De:
*A:
*Mensaje:

Pone entre 20 y 4000 caracteres.

Esto no es lo que buscas? Publique Solicitud de Compra Ahora

Buscar Productos Similares Por Categoría

Página Web del Proveedor Productos Ni memoria Flash Lectura rápida Memoria Flash NOR de resistencia a los golpes La memoria Flash China Fabricante Mwd/Lwd el circuito impreso