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Matriz MOSFET de potencia de canal N de 1700V 45Ω

Precio FOB de Referencia:	US$ 11,00 / Pieza
Pedido Mínimo:	10 Piezas

Pedido Mínimo	Precio FOB de Referencia
10 Piezas	US$ 11,00

Puerto:	Guangzhou, China
Condiciones de Pago:	T/T

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Descripción de Producto

Información de la Compañía

Dirección: Building 3, Yiyun Land Centre, No. 26 Guilan North Rd, Nanhai District, Foshan City, Guangzhou, Guangdong, China

Tipo de Negocio: Fabricante/Fábrica, Empresa Comercial, Otro

Rango de Negocios: Producto Eléctrico y Electrónico

Certificación del Sistema de Gestión: ISO 9001, ISO 14001

Productos Principales: Obleas de silicio, un circuito integrado (CI), dispositivos discretos, CZ, Pai, Soi, Sic, GaAs, zafiro, materiales de destino

Introducción de Empresa: PlutoSemi Co., Ltd, un material semiconductor mundial y proveedor de ICs, situado en la ciudad de Guangzhou, se ha comprometido a proporcionar a los clientes con soluciones de materiales semiconductores, los servicios para empresas de semiconductores mundial e instituciones de investigación.

Como un sistema integrado de la empresa de semiconductores, estamos cooperando con muchas plantas a nivel mundial para garantizar una amplia cobertura y excelentes productos.

Somos rápidos y competitivos.

Principalmente nos ofrecen obleas de silicio FZ y lingotes, obleas de silicio CZ y lingotes, obleas de EPI, SOI de obleas, PVD target materiales, obleas, germanio de monocristal de obleas de zafiro, carburo de silicio oblea, el arseniuro de galio, fosfuro de indio, el nitruro de galio y otros materiales semiconductores.

Nuestro experimentado personal están dispuestos a responder con los servicios oportuna y confiable, no dude en ponerse en contacto con nosotros.

La credibilidad es la piedra angular! La calidad de vida! La innovación es la fuerza!

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Número de pieza	VDS (V)	ID A 25ºC(A)	RDS(on)(mΩ)	Tamaño de troquel (mm)
H2M-1700-0045	1700V	70A	45mΩ	4,20*6,50

Símbolo	Parámetro	Valor	Unidad	Condiciones de la prueba	Nota
VDSmax	Drenaje - tensión de la fuente	1700	V	VGS=0V, ID=100ΜA
VGSmax	Puerta - tensión de la fuente	-10/+25	V	Valores máximos absolutos
VGSop	Puerta - tensión de la fuente	-5/+20	V	Valores operativos recomendados
ID	Corriente de drenaje continua	70 45	R	VGS =20V, TC =25˚C VGS =20V, TC =100˚C
ITM	Corriente de descarga de impulsos	140	R	Ancho de pulso limitado por Tjmax
TJ, Tstg	Temperatura de funcionamiento y almacenamiento de la unión	-55 a. +150	˚C

Símbolo	Parámetro	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condiciones de la prueba	Nota
V(BR)DSS	Avería de la fuente de drenaje Voltaje	1700			V	VGS =0V,ID =100ΜA
VGS(TH)	Tensión de umbral de puerta	2,0	2,65	4,0	V	VGS = VDS, IDS = 10MA,TC = 25˚C
VGS(TH)	Tensión de umbral de puerta		1,75			VGS = VDS, IDS = 10MA,TC = 150˚C
IDSS	Drenaje de tensión de puerta cero Actual		10	100	μA	VDS = 1700V, VGS = 0V
IGS	Fuga de la fuente de inyección Actual		25	200	Na	VGS =20V, VDS = 0V
RDS (activado)	Estado de la fuente de drenaje Resistencia		45	70	MΩ	VGS =20V, ID =40A, TC =25˚C
RDS (activado)	Estado de la fuente de drenaje Resistencia		90			VGS =20V, ID =40A, TC =150˚C
gfs	Transconductancia		19		S	VDS = 20 V, ID = 40A, TJ = 25 ˚C
gfs	Transconductancia		20			VDS = 20 V, ID = 40A,TJ = 150 ˚C
CISS	Capacitancia de entrada		6000		PF	VGS =0V, VDS =1200 V, f=1MHz VAC =25 mV
COSS	Capacitancia de salida		240
CRSs	Transferencia inversa Capacitancia		30
EON	Energía de conmutación de encendido		4,0		MJ	VDS =1200V, VGS =-5/20V,ID = 40A, RG(ext) =2.5Ω
EOFF	Apagado Energía		1,8		MJ	VDS =1200V, VGS =-5/20V,ID = 40A, RG(ext) =2.5Ω
td (activado)	Tiempo de retardo de encendido		60		no	VDD =1200V, VGS =-5/20 V. ID=40A, RG(EXT)= 2,5 Ω Tiempo relativo a VDS
tr	Tiempo de subida		140
td (desactivado)	Tiempo de retardo de apagado		50
tf	Tiempo de caída		42
RG(int)	Resistencia interna de la puerta		1,0		Ω	f=1 MHz, VAC =25mV
QGS	Cargo de puerta a fuente		80		NC	VDD =1200V, VGS =-5/20 V. ID = 40A
Qgd	Compuerta para drenar la carga		74
P.	Carga total de la puerta		260

Símbolo	Parámetro	Típ.	Máx.	Unidad	Condiciones de la prueba	Nota
VSD	Tensión de avance de diodo	3,3		V	VGS =-5V, ISD = 20 A, TJ = 25 °C.
VSD	Tensión de avance de diodo	3,1		V	VGS =-5V, ISD = 20A, TJ = 150 °C.
ES	Corriente continua de diodo hacia delante		70	R	TC = 25˚C
trr	Tiempo de recuperación inversa	95		no	VGS=-5V, ISD=20 A, VR=1200V, dif/dt=1200A/μs;
QRR	Carga de recuperación inversa	340		NC
Irrm	Corriente de recuperación inversa pico	16		R

Parámetro	Típ.	Unidad
Tamaño de troquel	4,20 x6,50	mm
Tamaño de almohadilla de sobrina	1,50x 4,90	mm
Tamaño de la almohadilla de la compuerta	0,78 x0,48	mm
Grosor	180± 10%	μm
Tamaño de oblea	150	mm
Metalización lateral superior (al)	4	μm
Metalización lateral inferior (ni/AG)	1,5	μm

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