Personalización: | Disponible |
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Aplicación: | Medición de temperatura |
Número de lote: | 2010+ |
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Muestra de Orden
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Costo de Envío: | Contacte al proveedor sobre el flete y el tiempo de entrega estimado. |
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Política de reembolso: | Solicite un reembolso si su pedido no se envía, falta o llega con problemas con el producto. |
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Proveedores con licencias comerciales verificadas
Auditado por una agencia de inspección externa independiente
Tipo
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Descripción
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Seleccione
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Categoría
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Los productos semiconductores discretos
Los transistores
FETs, MOSFETs
Solo FETs, MOSFETs
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Mfr
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Almacenamiento y de semiconductores de Toshiba
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Serie
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Π-MOSVII
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Paquete
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El tubo
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El estado del producto
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Activo
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Tipo FET
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Canal N
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La tecnología
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(MOSFET de óxido metálico)
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Vaciar a la fuente de tensión (Vdss)
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500 V
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Actual - Drenaje continuo (Id) de @ a 25°C
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15A (Ta)
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La tensión de la unidad (Max RDS ACTIVADO, Min RDS).
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10V
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Rds activado (máx.) @ Id, Vgs
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300mOhm 7,5 a @, 10V
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Vgs(a) (máx.) @ Id.
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4V @ 1mA
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La compuerta de carga (QG) (máx.) @ Vgs
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NC 40 @ 10 V
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Vgs (máx.).
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±30 V
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La capacitancia de entrada (CISS) (máx.) @ Vds.
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PF 2300 @ 25 V
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La característica de FET
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-
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Disipación de potencia (máx.).
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50W (Tc)
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La temperatura de funcionamiento
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150°C (TJ)
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Tipo de montaje
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A través del agujero
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El paquete del dispositivo de proveedor
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A-220SIS
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Package / Caso
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A-220-3 Full Pack
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El número de producto de la base
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TK15A50
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