Certification: | ISO |
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Shape: | DIP |
Shielding Type: | N/a |
Cooling Method: | N/a |
Function: | High Back Pressure Transistor, N/a |
Working Frequency: | High Frequency |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
TIPO
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DESCRIPCIÓN
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SELECCIONE
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Categoría
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Productos de semiconductores discretos
Transistores
FETs, MOSFET
FETs simples, MOSFET
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MFR
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STMicroelectronics
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Serie
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MDmesh™
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Paquete
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Tubo
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Estado del producto
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Activo
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Tipo de FET
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Canal N.
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Tecnología
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MOSFET (óxido metálico)
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Tensión de drenaje a fuente (Vdss)
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800 V
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Corriente - continuo drenaje (ID) a 25°C.
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17A (TC)
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Tensión de la unidad (RDS máx. Activado, RDS mín. Activado)
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10V
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RDS activado (máx.) @ ID, VGS
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295mOhm @ 8,5A, 10V
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VGS(TH) (Máx.) @ ID
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5V a 250µA
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Carga de compuerta (QG) (máx.) a VGS
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70 NC a 10 V.
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VGS (máx.)
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±30V
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Capacitancia de entrada (CISS) (máx.) a VDS
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2070 pF a 50 V.
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Función FET
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-
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Disipación de potencia (máx.)
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190W (TC)
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Temperatura de funcionamiento
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150 °C (TJ)
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Tipo de montaje
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Orificio pasante
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Paquete de dispositivo de proveedor
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TO-247-3
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Paquete / caja
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TO-247-3
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Número de producto base
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STW18
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Proveedores con licencias comerciales verificadas