Proceso de dar un título: | RoHS |
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Estructura de encapsulación: | chip de transistor |
Instalación: | SMD Tríodo |
Material: | Silicio |
tipo de fet: | canal p. |
tecnología: | mosfet (óxido metálico) |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
TIPO
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DESCRIPCIÓN
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Categoría
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Productos de semiconductores discretos
Transistores
FETs, MOSFET
FETs simples, MOSFET
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Paquete
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Cinta y carrete (TR)
Cinta de corte (CT)
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Estado del producto
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Activo
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Tipo de FET
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Canal P.
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Tecnología
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MOSFET (óxido metálico)
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Tensión de drenaje a fuente (Vdss)
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60 V
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Corriente - continuo drenaje (ID) a 25°C.
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12A (ta)
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Tensión de la unidad (RDS máx. Activado, RDS mín. Activado)
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10V
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RDS activado (máx.) @ ID, VGS
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180mOhm @ 6A, 10V
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VGS(TH) (Máx.) @ ID
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4V a 250µA
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Carga de compuerta (QG) (máx.) a VGS
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30 NC a 10 V.
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VGS (máx.)
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±20V
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Capacitancia de entrada (CISS) (máx.) a VDS
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750 pF a 25 V.
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Función FET
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-
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Disipación de potencia (máx.)
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55W (TJ)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Tipo de montaje
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Montaje superficial
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Paquete de dispositivo de proveedor
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DPAK
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Paquete / caja
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TO-252-3, DPAK (2 derivaciones + lengüeta), SC-63
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Número de producto base
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NTD2955
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Proveedores con licencias comerciales verificadas