Proceso de dar un título: | RoHS |
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Estructura de encapsulación: | El transistor de Unidades de cerámica |
Instalación: | SMD Tríodo |
Nivel de potencia: | Media Potencia |
Material: | Silicio |
tipo de fet: | canal p. |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
TIPO
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DESCRIPCIÓN
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Categoría
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Productos de semiconductores discretos
Transistores
FETs, MOSFET
FETs simples, MOSFET
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Serie
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HEXFET®
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Paquete
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Cinta y carrete (TR)
Cinta de corte (CT)
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Estado del producto
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Activo
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Tipo de FET
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Canal P.
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Tecnología
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MOSFET (óxido metálico)
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Tensión de drenaje a fuente (Vdss)
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30 V
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Corriente - continuo drenaje (ID) a 25°C.
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5,4A (ta)
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Tensión de la unidad (RDS máx. Activado, RDS mín. Activado)
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4,5V, 10V
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RDS activado (máx.) @ ID, VGS
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59mOhm @ 5,4A, 10V
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VGS(TH) (Máx.) @ ID
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2,4V a 10µA
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Carga de compuerta (QG) (máx.) a VGS
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14 NC a 10 V.
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VGS (máx.)
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±20V
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Capacitancia de entrada (CISS) (máx.) a VDS
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386 pF a 25 V.
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Función FET
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-
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Disipación de potencia (máx.)
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2,5W (ta)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo de montaje
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Montaje superficial
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Paquete de dispositivo de proveedor
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8-SO
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Paquete / caja
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8-SOIC (0,154", 3,90mm ancho)
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Número de producto base
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IRF9335
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Proveedores con licencias comerciales verificadas