Certification: | ISO |
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Encapsulation Structure: | Chip Transistor |
Installation: | SMD Triode |
Working Frequency: | Overclocking |
Power Level: | High Power |
Function: | Power Triode |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
TIPO
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DESCRIPCIÓN
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Categoría
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Productos de semiconductores discretos
Transistores
FETs, MOSFET
FETs simples, MOSFET
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MFR
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International Rectifier
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Serie
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HEXFET®
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Paquete
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A granel
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Estado del producto
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Activo
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Tipo de FET
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Canal N.
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Tecnología
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MOSFET (óxido metálico)
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Tensión de drenaje a fuente (Vdss)
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200 V
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Corriente - continuo drenaje (ID) a 25°C.
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18a (TC)
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RDS activado (máx.) @ ID, VGS
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150mOhm @ 11A, 10V
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VGS(TH) (Máx.) @ ID
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4V a 250µA
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Carga de compuerta (QG) (máx.) a VGS
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67 NC a 10 V.
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VGS (máx.)
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±20V
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Capacitancia de entrada (CISS) (máx.) a VDS
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1160 pF a 25 V.
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Disipación de potencia (máx.)
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150W (TC)
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Temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Tipo de montaje
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Montaje superficial
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Paquete de dispositivo de proveedor
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D2PAK
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Paquete / caja
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TO-263-3, D²Pak (2 derivaciones + lengüeta), TO-263AB
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Proveedores con licencias comerciales verificadas