Certification: | RoHS |
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Encapsulation Structure: | Chip Transistor |
Installation: | SMD Triode |
Power Level: | Medium Power |
Structure: | Npn |
Material: | Silicon |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
TIPO
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DESCRIPCIÓN
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Categoría
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Productos de semiconductores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Transistores bipolares simples
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Serie
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Automoción, AEC-Q101
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Paquete
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Cinta y carrete (TR)
Cinta de corte (CT)
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Estado del producto
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Activo
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Tipo de transistor
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NPN
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Corriente - colector (IC) (máx.)
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200 mA
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Tensión - avería del emisor del colector (máx.)
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40 V
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Saturación VCE (máx.) en IB, IC
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300mV @ 5mA, 50mA
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Corriente - Corte colector (máx.)
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50nA (CIBO)
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Ganancia de corriente dc (HFE) (mín.) en IC, VCE
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100 @ 10mA, 1V
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Potencia - Máx
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250 mW
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Frecuencia - transición
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300MHz
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Temperatura de funcionamiento
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150 °C (TJ)
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Tipo de montaje
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Montaje superficial
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Paquete / caja
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Paquete de dispositivo de proveedor
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TO-236AB
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Número de producto base
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MMBT3904
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Proveedores con licencias comerciales verificadas