forma: | DIP/SMD |
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Tipo de conductor: | N/a |
Integración: | N/a |
Técnica: | N/a |
Application: | N/a |
Type: | N/a |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
El Estado parte
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Activo
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Tipo FET
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P-Channel
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La tecnología
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(MOSFET de óxido metálico)
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Vaciar a la fuente de tensión (Vdss)
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12 V
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Actual - Drenaje continuo (Id) de @ a 25°C
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4.3A (Ta)
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La tensión de la unidad (Max RDS ACTIVADO, Min RDS).
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1,8, 4,5 V.
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Rds activado (máx.) @ Id, Vgs
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50mOhm @ 4.3A, de 4,5 V.
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Vgs(a) (máx.) @ Id.
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950mV @ 250µA
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La compuerta de carga (QG) (máx.) @ Vgs
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El 15 de nC @ 5 V
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Vgs (máx.).
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±8V
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La capacitancia de entrada (CISS) (máx.) @ Vds.
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830 pF @ a 10 V
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La característica de FET
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-
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Disipación de potencia (máx.).
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1,3 W (Ta)
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La temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo de montaje
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Montaje en superficie
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El paquete del dispositivo de proveedor
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Micro3™/SOT-23.
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Package / Caso
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A-236-3, SC-59, SOT-23-3
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El número de producto de la base
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IRLML6401
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