forma: | dip/smd |
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Tipo de conductor: | n/a. |
Integración: | n/a. |
Técnica: | n/a. |
Paquete de Transporte: | N/a |
Especificación: | DIP/SMD |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
Paquete
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El tubo
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El Estado parte
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Activo
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Tipo FET
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Canal N
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La tecnología
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(MOSFET de óxido metálico)
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Vaciar a la fuente de tensión (Vdss)
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500 V
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Actual - Drenaje continuo (Id) de @ a 25°C
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8A (Tc)
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La tensión de la unidad (Max RDS ACTIVADO, Min RDS).
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10V
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Rds activado (máx.) @ Id, Vgs
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850mOhm 4.8A @, 10V
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Vgs(a) (máx.) @ Id.
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4V de 250 µA @
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La compuerta de carga (QG) (máx.) @ Vgs
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NC 38 @ 10 V
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Vgs (máx.).
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±30 V
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La capacitancia de entrada (CISS) (máx.) @ Vds.
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1018 pF @ 25 V
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La característica de FET
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-
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Disipación de potencia (máx.).
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125W (Tc)
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La temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo de montaje
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A través del agujero
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El paquete del dispositivo de proveedor
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A-220AB
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Package / Caso
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A-220-3
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El número de producto de la base
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IRF840
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Proveedores con licencias comerciales verificadas