Certification: | RoHS |
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Encapsulation Structure: | Chip Transistor |
Installation: | SMD Triode |
Power Level: | Medium Power |
Structure: | Npn |
Material: | Silicon |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
Tipo
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Descripción
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Categoría
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Los productos semiconductores discretos
Los transistores
Trastorno Bipolar (BJT)
Solo los transistores bipolares
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Paquete
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La cinta y molinete (TR)
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El estado del producto
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Activo
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Tipo de transistor
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NPN
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Actual - colector (IC) (máx.).
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100 mA
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La tensión colector - Emisor Desglose (máx.).
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30 V
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La saturación de Vce (máx.) @ Ib, Ic
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500mV @ de 5 mA, 100mA
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Actual - Corte de coleccionista (máx.).
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100nA (ICBO)
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Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ IC VCE
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110 @ 2mA, 5V
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Alimentación: máx.
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200 mW
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Frecuencia - Transición
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100MHz
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La temperatura de funcionamiento
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo de montaje
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Montaje en superficie
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Package / Caso
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A-236-3, SC-59, SOT-23-3
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El paquete del dispositivo de proveedor
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SOT-23.
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El número de producto de la base
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BC848
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