Tipo: | Sensor de presión piezoresistivo |
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Componente: | Tipo SemiConductor |
Para: | Transmisor de presión capacitivo |
Tipo de salida de señal: | Tipo Analógico |
Proceso De Producción: | Integración |
Material: | Acero inoxidable |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
• Chip de presión de respuesta dinámica piezoresistivo basado en silicio
Entrada | Rango de presión | 0~30 MPa (mín. 0~200kPa) | ||||
Modo operativo | Calibre | |||||
Sobre presión | 2 veces la presión nominal | |||||
Presión de ráfaga | 3 veces la presión nominal | |||||
Medios de presión | Líquido o gas no corrosivo compatible con acero inoxidable 304 | |||||
Excitación eléctrica nominal | 12 ~24 V DE CC | ±12 ~15VDC | ||||
Salida |
Lectura a escala completa | 0 ~5 V DE CC | 0 ~10 V DE CC | 1 ~5 V DE CC | ||
Ancho de banda (-3dB) | 0~1/3 frecuencia natural (solo amplificador) | |||||
No linealidad combinada | ±0,1% FS | ±0,25% FS | ±0,5% FS | |||
Resolución | Infinitesimal | |||||
Frecuencia natural del sensor (típ.) | 290 ~ 680KHz | |||||
Resistencia de aislamiento | 50 megohmios mín. A 50 V DE CC | |||||
Parámetros ambientales | Rango de temperatura de funcionamiento | -40°F a +185°F (-40°C a +85°C) | ||||
Rango de temperatura compensado | 77°F a 140°F (25 °C a 60 °C) |
Personalización | ||||
Cambio térmico cero | ±1% FS/100°F (típ.) | |||||
Desplazamiento de sensibilidad térmica | ±1% /100°F (típ.) | |||||
Vibración lineal | 10 a 1000 Hz seno, 15g. (Máx.) | |||||
Parámetros físicos | Conexión eléctrica | Cable blindado conductor 4 2,4mm | ||||
X-12 o equivalente (típ.) | ||||||
Personalización | ||||||
Peso | 19 gramos (nom.) Sin cable | |||||
Principio de detección de presión | Puente de Wheatstone de cuatro brazos completamente activo | |||||
Tamaño de sonda | Φ20x10mm |
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