Tecnología de Fabricación: | Dispositivo Discreto |
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Material: | Elemento Semiconductor |
Tipo: | PCB |
Paquete: | PCB |
Procesamiento De La Señal: | Compuesto digital y función analógica |
Aplicación: | Electostatic Cleaning |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
Tipo | HPT220KV8A75nS Tiempo de recuperación ultrarrápido Ecualización de RC |
HPT110KV5A100nS Tiempo de recuperación rápido Ecualización de RC |
HPT220KV5A100nS Tiempo de recuperación rápido Ecualización de RC |
Tensión inversa de pico repetitiva [Vrrm KV] | 220 | 110 | 220 |
Tensión inversa pico no repetitiva [Vrrm KV] | 270 | 140 | 270 |
Corriente media en estado [ Ifavm1 A 45ºC] | 8 | 5 | 5 |
Corriente media en estado [ Ifavm1 A 85ºC] | 5 | 3 | 3 |
Tensión pico de avance repetitiva [Ifrm A] | 160 | 100 | 100 |
Corriente de transitorios no repetitiva máxima [Ifsm1 A 25ºC] | 100 | 60 | 60 |
Corriente de transitorios no repetitiva máxima [Ifsm2 A 85ºC] | 80 | 40 | 40 |
Temperatura de unión [TJ ºC] | -55~175 | -40~150 | -40~150 |
Temperatura máxima de unión [Tjm ºC] | 175 | 150 | 150 |
Temperatura de almacenamiento [Tstg ºC] | -55~175 | -40~150 | -40~150 |
Dimensión [WDL] | 100*45*445 | 100*45*240 | 100*45*445 |
Inversa Leakage1 [IR1 TJ=25ºC UA] | 25 | 20 | 20 |
Inversa Leakage2 [IR2 Tjm=25ºC UA] | 500 | 100 | 100 |
Tensión de avance [Vf1 TJ=25ºC V] | 400 | 200 | 410 |
Tensión de avance [Vf2 TJ=150ºC V] | 355 | 170 | 365 |
Térmico Resistance1[Rthjc refrigeración por aire K/W] | 0,25 | 0,92 | 0,45 |
Thermal Resistance2[Rthjc aceite aislante K/W] | 0,04 | 0,14 | 0,07 |
Peso KG | 1,15 | 0,45 | 0,92 |
Número de serie de PCB | S353+S352+S349 | S355+S354+S349 | S353+S354+S356 |
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