SJ18N65 SUPER JUNCTION MOSFET de canal N con 18A 650V

• Estructura de encapsulación: sellado metálico
• Solicitud: Productos electrónicos
• Proceso de dar un título: RoHS, ISO
• Estructura: super cruce
• Material: Silicio
• Paquete de Transporte: Tube
• No. de Modelo.: SJ18N65
• Especificación: High Power
• Marca Comercial: JF
• Origen: China
• Código del HS: 85411000
• Capacidad de Producción: 10000000000piece/Year

Descripción de Producto

Descripción del producto

Super Junction MOSFET de canal N
Componentes electrónicos

Referencia: SJ18N65  

Los principales parámetros:  

Tipo	El canal	VDSS(V). (Máx.).	ID(A) (Máx.).	PD(W). (Máx.).	VGS(V). (Máx.).	Vº(V).	Rds(on)(Ω) @10V (típico)	Rds(on)(Ω) @10V (máx.).	Rds(on)(Ω) @4,5V (típ.)	Protección ESD para Di-s (S/N)	Código de esquema
SJ25N50	N	500	22		±30	2.5~4.5	0.12
SJ4N60	N	600	4		±30	2~4	0.90				A-220AB: ITO-220AB:F A-263:D A-252:M A-262:E. A-251:N A-247:P
SJ7N60	N	600	7		±30	2~4	0.58
SJ11N60	N	600	11		±30	2~4	0.38
SJ13N60	N	600	13		±30	2~4	0.34
SJ18N60	N	600	18		±30	2~4	0.22
SJ20N60	N	600	20		±30	2.5~4.0	0.17
SJ21N60	N	600	21		±30	2.5~4.0	0.13
SJ47N60	N	600	47		±30	2~4	0.06
SJ77N60	N	600	77		±30	2.5~4.5	0,035
SJ4N65	N	650	4		±30	2~4	1.00
SJ5N65	N	650	5		±30	2.5~4.5	0.85
SJ7N65	N	650	7		±30	2~4	0.62
SJ11N65	N	650	11		±30	2~4	0.40
SJ13N65	N	650	13		±30	2~4	0.36
SJ18N65	N	650	18		±30	2~4	0.25
SJ20N65	N	650	20		±30	2~4	0.19
SJ22N65	N	650	22		±30	2~4	0.15
SJ47N65	N	650	47		±30	2~4	0.07
SJ7N70	N	700	7		±30	2.5~4.5	0.65
SJ11N70	N	700	11		±30	2~4	0.43
SJ20N80	N	800	20		±30	2.5~4.5	0.22

Marca: JF  

El paquete: ITO-220AB/-220AB -263//-252/-262/-251/-247/-3P
Fabricante: Jinan Jingheng Electronics Co., Ltd.

Características:

· Capacidad de conmutación rápida

· Sin plomo, de conformidad con la Unión Europea la directiva RoHS.

· Mejora de la resistencia de alta capacidad de dt dv

Aplicación:  
Utilizado en alimentación, iluminación, auto, campo de aparato doméstico.

 

Perfil de empresa