La mejora de un MOSFET de canal N JH2302A con encapsulado SOT-23

• Estructura de encapsulación: smd
• Solicitud: Productos electrónicos
• Proceso de dar un título: RoHS, ISO
• Color: negro
• Estructura: planar
• Material: Silicio
• No. de Modelo.: JH2302A
• paquete: sot-23
• Paquete de Transporte: Tape Reel
• Especificación: Plastic Package
• Marca Comercial: JF, JH
• Origen: China
• Código del HS: 85411000
• Capacidad de Producción: 10000000000piece/Year

Descripción de Producto

Descripción del producto

La mejora de un MOSFET de canal N
Componentes electrónicos

Referencia: A2302JH

Los principales parámetros:  
 

Tipo	El canal	VDSS(V). (Máx.).	ID(A) (Máx.).	PD(W). (Máx.).	VGS(V). (Máx.).	Vº(V).	Rds(on)(Ω) @10V (típico)	Rds(on)(Ω) @4,5V (típico)	Rds(on)(Ω) @De 2,5V (típ.)	Protección ESD para Di-s (S/N)	Presentacion
JH2302B	N	20	3.0	0.7	±10	0.5~1.5		0,038	0,052		SOT-23.
JH2302A	N	20	4.3.	1	±10	0.55~1.25		0.021	0.029
JH2300A	N	20	4.5	1	±10	0.45~1.00		0,0195	0.025	Y.
JH3416A	N	20	7.0	1.3	±12	0.45~1.00		0.013	0,017
JH2312A	N	20	6.8	1.2	±10	0.45~1.00		0.0135	0,017
JH2304A	N	30	3.6	1	±20	1.0~2.2	0.03	0.04
JH3400A	N	30	5.6	1.2	±12	0.65~1,5	0.021	0.025	0,033
JH3404B	N	30	4.0	1	±20	1.0~2.2	0.028	0,046
JH3404A	N	30	5.6	1.2	±20	1.0~2.2	0.023	0,027
JH2356	N	40	5.0	1.2	±20	0.8~1.8	0.03	0.04
BSS138	N	50	0.34	0.35	±20	0.8~1.6	1.1.	1.2
2N7002	N	60	0.34	0.35	±20	1.0~2.5	1.2	1.3
2N7002A	N	60	0.34	0.35	±30	1.0~2.5	1.2	1.3
2N7002K	N	60	0.34	0.35	±20	1.0~2.5	1.3	1.4		Y.
D3N06T-D10	N	60	3.0	1.2	±20	1.0~2.0	0,081	0.01
JH2310	N	60	3.0	0.35	±20	0.5~2.0	0,105	0,125
BSS123	N	100	0.2	0.35	±20	1.0~2.5	3.0	3.5

Marca: JF  

El paquete: SOT-23.
Fabricante: Jinan Jingheng Electronics Co., Ltd.
Características:  potencia de la Trinchera de la tecnología MOSFET LV

 

 

Perfil de empresa