• Modo de mejora de canal P del transistor de efecto campo9435Fds un 9435UN
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Modo de mejora de canal P del transistor de efecto campo9435Fds un 9435UN

Proceso de dar un título: RoHS
Estructura de encapsulación: SMD Transistor
Instalación: SMD Tríodo
Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
Nivel de potencia: Media Potencia
Función: triodo de potencia, Mosfet

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Miembro Diamante Desde 2016

Proveedores con licencias comerciales verificadas

Clasificación: 5.0/5
Empresa Comercial

Información Básica.

No. de Modelo.
FDS9435A
tipo de producto
mosfet
polaridad de transistor
canal p.
paquete / caja
So-8
serie
Fds9435A
estilo de instalación
smd / smt
descripción detallada
canal p 5,3a (ta) 2,5w (ta) montaje superficial 8-soic
categoría
transistores - fets, mosfet
tipo de fet
canal p.
tecnología
mosfet
tensión de drenaje a fuente (vdss)
30 V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds
528 pf a 15 v
Especificación
Height: 1.75 mm Length: 4.9 mm

Descripción de Producto

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Fds9435A 9435A
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Fds9435A 9435A

Producto Paramenters

Tipo FET P-Channel
La tecnología (MOSFET de óxido metálico)
- Drenaje de corriente continua (Id) de @ a 25°C 5.3A (Ta)
La tensión de la unidad (Max RDS ACTIVADO, Min RDS). 4,5 V, 10V
Rds activado (máx.) @ Id, Vgs 50mOhm 5.3A @, 10V
Vgs(a) (máx.) @ Id. 3V @ 250µA
Vgs (máx.). ±25 V
La característica de FET -
Disipación de potencia (máx.). 2.5W (Ta)
La temperatura de funcionamiento ~ -55°C a 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
El paquete del dispositivo de proveedor 8-SOIC
Package / Caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho).
Vaciar a la fuente de tensión (Vdss) 30 V
La compuerta de carga (QG) (máx.) @ Vgs NC 14 @ 10 V
La capacitancia de entrada (CISS) (máx.) @ Vds. 528 pF @ a 15 V
El número de producto de la base FDS94


Aplicaciones
· La administración de energía
· El interruptor de carga
· Protección de la batería

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Fds9435A 9435A
Perfil de empresa
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Fds9435A 9435A

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Fds9435A 9435A
 


P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Fds9435A 9435AP-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Fds9435A 9435A

El embalaje del producto
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Fds9435A 9435A
Preguntas frecuentes



1.Quién eres?
Somos fabricante de alta calidad de los chips de la propia China Incluido IC,resistencias, transistores, condensadores,
De memoria, IGBT, Mosfet,Traic/SCR, Optoelectrónica.Casi todos los componentes de la electrónica en nuestra producción.


2.Hacer también la venta de repuestos originales?
Sí, también estamos en el suministro de materiales originales bcz todos nuestros chips diseñados se basan en el Original,por lo que nos
Están cooperando con unas originales del diseño y desarrollo departamento que tenemos buenas fuentes de la original.

3.Lo que es su ventaja?
Nuestros productos de alta calidad con precio razonable puede sustituir completamente los componentes originales.

4.puede brindar el servicio de OEM?
Sí, podemos, si tienen proyectos y solicitud plz póngase en contacto con nosotros.

5.Puedo comprar todos los componentes de requireing im?
Por supuesto, sí, desde la lista BOM cita hasta la puerta a puerta express service,tenemos
Ventas profesionales Para conectarse con todo el tiempo.



P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Fds9435A 9435A

 

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