Proceso de dar un título: | RoHS |
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Estructura de encapsulación: | chip de transistor |
Instalación: | SMD Tríodo |
Función: | triodo de potencia, Mosfet |
Material: | Silicio |
descripción de samacsys: | mosfet 100v 1 n-ch hexfet 210mohms 16,7nc |
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La compuerta QG - Cargo: | El 25 de nC |
Temperatura míNima de funcionamiento: | - 55 C |
Temperatura máXima de funcionamiento: | + 175 C |
Pd:DisipacióN de energíA: | 48 W |
El modo de canal: | El mejoramiento |
Embalaje: | Cortar la cinta |
Embalaje: | MouseReel |
Embalaje: | El tambor |
ConfiguracióN: | Solo |
Altura: | 2,3 mm |
Longitud: | 6,5 mm |
Tipo de transistor: | 1 N-Channel |
Ancho: | 6,22 mm |
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