Fqpf4n60 calidad original de transistores para220 4N60

• Proceso de dar un título: RoHS
• Forma: DIP
• Estructura de encapsulación: chip de transistor
• Nivel de potencia: Alto Voltaje
• Material: Silicio
• producto: mosfet
• No. de Modelo.: FQPF4N60
• precio: por favor, póngase en contacto con nuestro
• disipación de potencia (máxima): 36W (Tc)
• tipo de fet: canal n.
• polaridad de transistor: canal n.
• embalaje: tubo
• tecnología fet: semiconductor de óxido metálico
• número de producto: Fqpf4n60
• descripción detallada: canal n 600v 2,6a (tc) 36w (tc) a través del orificio
• tensión de drenaje a fuente (vdss): 600v
• Paquete de Transporte: Roll
• Especificación: standard
• Marca Comercial: CHN
• Origen: China

Descripción de Producto

FQPF4N60 calidad original de transistores para220 4N60

• Bajo carga de la puerta ( típico 15 nC)
• Bajo Sir ( típico 8.0 pF)
• El cambio rápido
• El 100% avalancha probado