Irfb4229 Irfb4229pbf Transistor de efecto campo Mosfet

• Certification: RoHS
• Shape: GT
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: High Back Pressure Transistor, Microwave Transistor, Switch Transistor, Transistor
• Working Frequency: Low Frequency
• No. de Modelo.: IRFB4229PBF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• polaridad/tipo de canal: canal n.
• número de producto: Irfb4229pbf
• condición: nuevo y original
• envío por: dhl\ups\fedex\ems\hk postdhl\ups\fedex\ems\hk post
• categoría: transistores
• tecnología: mosfet
• Paquete de Transporte: Tube
• Especificación: iron and plastic
• Origen: Chn

Descripción de Producto

Los atributos del producto
 

Tipo FET	Canal N
La tecnología	(MOSFET de óxido metálico)
- Drenaje de corriente continua (Id) de @ a 25°C	46A (Tc)
La tensión de la unidad (Max RDS ACTIVADO, Min RDS).	10V
Rds activado (máx. ) @ Id, Vgs	46mOhm @ 26A, 10V
Vgs(a) (máx. ) @ Id.	5V @ 250µA
Vgs (máx. ).	±30 V
La característica de FET	-
Disipación de potencia (máx. ).	330W (Tc)

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