Fp10R12W1t4 Nuevo módulo de IGBT Infineon 1200V 20A 105W

• Instalación: montaje en chasis
• Función: módulo igbt
• Material: Silicio
• categoría de producto: módulos igbt
• categoría: transistor
• disipación de potencia máx. (abs): 105w
• No. de Modelo.: FP10R12W1T4
• material de embalaje: encapsulado metálico
• forma del paquete: forma plana
• tensión-máx. de emisor de puerta: 20 v
• descripción detallada: 20a i(c), 1200v v(br)ces, canal n,
• producto: módulo de silicio igbt
• configuración: matriz 7
• tensión colector-emisor vceo máx: 1200 V
• longitud: 62,8 mm
• Marca Comercial: Infineon
• Origen: China

Descripción de Producto

Los atributos del producto


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Información de la empresa

Nuestro Exihibiton


Preguntas frecuentes

1.Quién eres?
Somos fabricante de alta calidad de los chips de la propia China Incluido IC,el transistor, resistencia,
Los condensadores,de memoria, IGBT, Mosfet,Traic/SCR, Optoelectrónica.Casi todos los componentes
De la electrónica en nuestra producción.

2.Hacer también la venta de repuestos originales?
Sí, también estamos en el suministro de materiales originales bcz todos nuestros chips diseñados se basan en
El original, así que estamos colaborando con unas originales del diseño y desarrollo
El departamento que tenemos buenas fuentes de la original.

3.Lo que es su ventaja?
Nuestros productos de alta calidad con precio razonable puede reemplazar por completo el
Los componentes originales.

4.puede brindar el servicio de OEM?
Sí, podemos, si tienen proyectos y solicitud plz póngase en contacto con nosotros.

5.Puedo comprar todos los componentes de requireing im?
Por supuesto, sí, desde la lista BOM cita hasta la puerta a puerta servicio express
Contamos con profesionales de las ventas a conectar con todo el tiempo.