Certification: | RoHS |
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Shape: | SMD |
Shielding Type: | / |
Cooling Method: | / |
Function: | High Back Pressure Transistor |
Working Frequency: | High Frequency |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
La tecnología
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(MOSFET de óxido metálico)
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Actual - Drenaje continuo (Id) de @ a 25°C
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4A (Ta)
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La tensión de la unidad (Max RDS ACTIVADO, Min RDS).
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2,5 V, 10V
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Rds activado (máx.) @ Id, Vgs
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50mOhm @ 4A, 10V
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Vgs(a) (máx.) @ Id.
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@ 1.3V 250µA
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Vgs (máx.).
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±12 V
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La característica de FET
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-
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Disipación de potencia (máx.).
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1.4W (Ta)
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