Estructura de encapsulación: | chip de transistor |
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Instalación: | Through Hole |
Nivel de potencia: | Alto Voltaje |
Función: | triodo de potencia, Transistor Amplifier |
categoría de producto: | transistores bipolares de potencia |
estado sin plomo: | compatible con rohs |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
Tipo de transistor | - Darlington NPN |
La saturación de Vce (máx. ) @ Ib, Ic | 1, 5 @ 3mA, 2A |
- Corte de corriente de colector (máx. ). | 10 µA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ IC VCE | 2000 @ 3A, 2V |
Frecuencia - Transición | 100MHz |
La temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | A través del agujero |
- Corriente de colector (IC) (máx. ). | 6 |
La tensión colector - Emisor Desglose (máx. ). | 120 V |
Alimentación: Máx. | 30 W |
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