Tipo: | Sensor de presión piezoresistivo |
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Componente: | Tipo SemiConductor |
Para: | Transmisor de presión de silicio difundido |
Tipo de salida de señal: | Tipo Analógico |
Proceso De Producción: | Integración |
Material: | Acero inoxidable |
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Parámetros de rendimiento: | |||||
Rango de medición | Indicador (G) | 10KPa,20KPa,35KPa,100kPa,200KPa,350KPa,1000kPa,2000Kpa | |||
Absoluto(A) | 100KPaA,200KPaA,350KPaA,700KPaA,1000KPaA,2000KPaA | ||||
Típ | Máx | Unidad | |||
Linealidad | ±0,15 | ±0,3 | %F.S | ||
Repetibilidad | 0,05 | 0,1 | %F.S | ||
Histéresis | 0,05 | 0,1 | %F.S | ||
Salida de offset cero | 0±1 | 0±2 | MV | ||
Salida a escala completa | ≤20KPa | 50±10 | 50±30 | MV | |
≥35kPa | 100±10 | 100±30 | MV | ||
Temp. De offset cero Deriva | ≤20KPa | ±1 | ±2 | %F.S | |
≥35kPa | ±0,5 | ±1 | %F.S | ||
Temp. Escala completa Deriva | ≤20KPa | ±1 | ±2 | %F.S | |
≥35kPa | ±0,5 | ±1 | %F.S | ||
Temp. Compensada | ≤20KPa | 0~50 | ºC | ||
≥35kPa | 0~70 | ºC | |||
Temperatura de funcionamiento | -20~80 | ºC | |||
Temperatura de almacenamiento | -40~125 | ºC | |||
Sobrecarga permitida | Tome el valor más pequeño entre 3 veces la escala completa O 4MPa | ||||
Presión de ráfaga | 5x la escala completa | ||||
Estabilidad a largo plazo | 0,2 % | F.S/año | |||
Material del diafragma | 316L | ||||
Resistencia de aislamiento | ≥200MΩ 100VDC | ||||
Vibración | No se han producido cambios en las condiciones de 10gRMS, 20Hz a 2000Hz | ||||
Shock | 100g,11ms | ||||
Tiempo de respuesta | ≤1ms | ||||
Peso | ~12,5g | ||||
Los parámetros se prueban en las siguientes condiciones: Corriente constante de 1,5mA y temperatura ambiente de 25°C. |
Construcción de contornos | |
Conexión eléctrica y compensación |
Ejemplos de selección |
Consejos para ordenar |
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