La plantilla de GaN Wafers

• materiales: nitruro de galio
• grosor: 3-4um o 20um
• tamaño: 2inch o 4inch
• tecnología de fabricación: semiconductor optoelectrónico
• material: semiconductor compuesto
• tipo: semiconductor tipo n.
• No. de Modelo.: FW-CRYSTAL
• paquete: smd
• aplicación: televisión
• marca: finewin
• Paquete de Transporte: Caja
• Especificación: 2INCH
• Marca Comercial: FineWin
• Origen: Jiaozuo City Henan Province
• Capacidad de Producción: 1000 PCS/Month

Descripción de Producto

La plantilla de GaN Wafers

1. ¿Qué es templates
Usamos el término "plantilla" para describir nuestros productos son diferentes de sustratos. Concretamente, una plantilla es un composite o ingeniería de sustrato, donde uno o más capas se añaden a la original susbstrate.

2.Aplicación
 
Blanco y azul, sala de LED para iluminación, pantallas y el uso general

Los dispositivos de conmutación de potencia de la GAN

3.Producto disponible

2 a 4" las plantillas de GaN en el FSS y PSS
De espesor de la GaN-templates (t=3~20μm)
La plantilla de GaN dopada con gran capa de tipo n (n=<1E19/cm³).
Ntipo (undoped) Ntipo (Si dopado), y Ptype(mg dopado) plantillas están disponibles
Las plantillas de GaN en ambos sustratos de silicio y substres zafiro

4. Características

XRD-AAM	002	102
3-4μm de  GaN/Sapphire	200-300	250-450

 Densidad de dislocaciones:3.5E+08 cm-2



5. La especificación
La especificación de 2pulg.

El tema	GaN-FS-C-U-C50	GaN-FS-C-N-C50	GaN-FS-C-SI-C50
Dimensiones	Ф 50,8 mm ± 1 mm.
Grosor	350 ± 25 µm
Superficie utilizable	> 90%
La orientación	Plano C (0001) en ángulo hacia el eje M 0,35°± 0,15°
Plano de orientación	(1-100) ± 0,5°, de 16.0 ± 1.0 mm
Plano de orientación secundaria	(11-20) ± 3°, de 8,0 ± 1,0 mm
Variación de espesor total	≤ 15 µm
BOW	≤ 20 µm
Tipo de conducción	Tipo N (Undoped)	Tipo N (Ge-dopado)	Semi-Insulating (Fe-dopado)
La resistividad(300K)	< 0,5 Ω·cm.	< 0,05 Ω·cm.	>106 Ω·cm.
Densidad de dislocaciones	1~9x105 cm-2	5x105 cm-2 ~3x106 cm-2	1~9x105 cm-2
	1~3x106 cm-2		1~3x106 cm-2
El pulido	La superficie frontal: Ra < 0,2 nm. Epi-listo pulido La superficie trasera: Fina tierra
Paquete	Empaquetado en un ambiente de sala limpia clase 100, en la única oblea contenedores, en virtud de una atmósfera de nitrógeno.

La especificación de 4pulg.

El tema	GaN-T-C-U-C100	GaN-T-C-N-C100
Dimensiones	Ф 100 mm ± 0,1 mm
Grosor	4 µm, de 20 µm
La orientación	Plano C(0001) ± 0,5°
Tipo de conducción	Tipo N (Undoped)	Tipo N (Si-dopado)
La resistividad de 300K	< 0,5 Ω·cm.	< 0,05 Ω·cm.
La concentración de portadora	< 5x1017 CM-3	> 1x1018 CM-3
La movilidad	~ 300cm2/V·s	~ 200 cm2/V·s
Densidad de dislocaciones	A menos de 5x108 cm-2
Estructura del sustrato	GaN en el zafiro(Estándar: SSP Opción: DSP)
Superficie utilizable	> 90%
Paquete	Empaquetado en un ambiente de sala limpia clase 100, en casetes de 25pcs o única oblea contenedores, en virtud de una atmósfera de nitrógeno.

6. Imágenes del producto